[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010892564.6 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113410288A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 田中明广 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L23/50;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具备：
半导体部，具有第1面、第2面、设置在上述第1面与上述第2面之间的第1区域、和设置在上述第1面与上述第2面之间的第2区域；
共用电极，设置在上述第2面；
第1电极，设置在上述第1区域的上述第1面上；
第2电极，设置在上述第2区域的上述第1面上，与上述第1电极分离；
第1控制电极，设置在上述第1区域中，控制上述第1区域中的沿将上述第1电极与上述共用电极连结的方向流动的电流；以及
第2控制电极，设置在上述第2区域中，控制上述第2区域中的沿将上述第2电极与上述共用电极连结的方向流动的电流；
在上述共用电极设置有第1槽。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在上述第1电极及上述第2电极的至少某一个设置有第2槽。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
上述第1电极具有与上述第1面接触的第1金属部和设置在上述第1金属部上的第2金属部；
上述第1金属部的面积比上述第2金属部的面积大；
上述第2槽至少设置在上述第1金属部。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，
上述第1金属部含有铝。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
上述第2电极具有与上述第1面接触的第3金属部和设置在上述第3金属部上的第4金属部；
上述第3金属部的面积比上述第4金属部的面积大；
上述第2槽至少设置在上述第3金属部。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，
上述第3金属部含有铝。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述半导体装置的端部的上述第1槽的密度比上述半导体装置的中央部的上述第1槽的密度高。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述共用电极的厚度比上述第1电极的厚度及上述第2电极的厚度厚。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第1控制电极在上述第1区域内沿上述半导体部的厚度方向延伸；
上述第2控制电极在上述第2区域内沿上述半导体部的厚度方向延伸。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述共用电极包含银膜。
11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第1槽不将上述共用电极贯通。
12.一种半导体装置，其具备：
半导体部，具有第1面、第2面、设置在上述第1面与上述第2面之间的第1区域、和设置在上述第1面与上述第2面之间的第2区域；
共用电极，设置在上述第2面；
第1电极，设置在上述第1区域的上述第1面上；
第2电极，设置在上述第2区域的上述第1面上，与上述第1电极分离；
第1控制电极，设置在上述第1区域中，控制上述第1区域中的沿将上述第1电极与上述共用电极连结的方向流动的电流；以及
第2控制电极，设置在上述第2区域中，控制上述第2区域中的沿将上述第2电极与上述共用电极连结的方向流动的电流，
在上述第1电极及上述第2电极的至少某一个设置有槽。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其中，
上述第1电极具有与上述第1面接触的第1金属部和设置在上述第1金属部上的第2金属部；
上述第1金属部的面积比上述第2金属部的面积大；
上述槽至少设置在上述第1金属部。
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