[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具备：半导体部，具有第1面、第2面、设置在上述第1面与上述第2面之间的第1区域、和设置在上述第1面与上述第2面之间的第2区域；共用电极，设置在上述第2面；第1电极，设置在上述第1区域的上述第1面上；第2电极，设置在上述第2区域的上述第1面上，与上述第1电极分离；第1控制电极，设置在上述第1区域中，控制上述第1区域中的沿将上述第1电极与上述共用电极连结的方向流动的电流；以及第2控制电极，设置在上述第2区域中，控制上述第2区域中的沿将上述第2电极与上述共用电极连结的方向流动的电流。在上述共用电极设置有第1槽。

本申请基于日本专利申请第2020－45514号(申请日：2020年3月16日)主张优先权，这里通过引用而包含其全部内容。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

已知在1个共同的半导体基板上形成具有电气地相互独立的源极电极的两个晶体管，将两个晶体管的漏极彼此用共用电极(背面电极)连接的半导体装置。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够实现翘曲的抑制的半导体装置。

根据技术方案，半导体装置具备：半导体部，具有第1面、第2面、设置在上述第1面与上述第2面之间的第1区域、和设置在上述第1面与上述第2面之间的第2区域；共用电极，设置在上述第2面；第1电极，设置在上述第1区域的上述第1面上；第2电极，设置在上述第2区域的上述第1面上，与上述第1电极分离；第1控制电极，设置在上述第1区域中，控制上述第1区域中的沿将上述第1电极与上述共用电极连结的方向流动的电流；以及第2控制电极，设置在上述第2区域中，控制上述第2区域中的沿将上述第2电极与上述共用电极连结的方向流动的电流。在上述共用电极设置有第1槽。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图2是图1的A－A’线剖面图。

图3(a)及(b)是其他实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图4是另一其他实施方式的半导体装置的示意斜视图。

图5是安装在配线基板上的实施方式的半导体装置的示意剖面图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。另外，在各图中，对于相同的要素赋予相同的标号。

图1是实施方式的半导体装置1的示意俯视图。

图2是图1的A－A’线剖面图。

半导体装置1具备半导体部50、共用电极30、第1电极10、第2电极20、第1控制电极71和第2控制电极72。

半导体部50具有半导体基板53、设置在半导体基板53上的第1半导体层54、设置在第1半导体层54内的第2半导体层13及第3半导体层14、设置在第2半导体层13内的第4半导体层15和设置在第3半导体层14内的第5半导体层16。

半导体基板53例如是n型的硅基板。第1半导体层54例如是n型的硅层。第1半导体层54的n型杂质浓度比半导体基板53的n型杂质浓度低。第1半导体层54例如在半导体基板53上外延成长。

第2半导体层13及第3半导体层14例如是p型的硅层。第1半导体层54与第2半导体层13的底面、侧面、第3半导体层14的底面及侧面接触。

第4半导体层15及第5半导体层16例如是n型的硅层。第4半导体层15及第5半导体层16的n型杂质浓度比第1半导体层54的n型杂质浓度高。第2半导体层13与第4半导体层15的底面及侧面接触。第3半导体层14与第5半导体层16的底面及侧面接触。