[发明专利]一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺

权利要求书

1.一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，包括壳体(1)，其特征在于，所述壳体(1)上开设有反应室(2)，所述反应室(2)内固定设置有固定块(3)，所述固定块(3)呈L型设置，所述固定块(3)的横板紧贴反应室(2)的一侧侧壁设置，且所述固定块(3)的纵板上设有与之对应的固定机构，所述固定块(3)的横板内设有液体腔(9)，所述壳体(1)的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口(5)，两个所述输液口(5)均贯穿壳体(1)和固定块(3)的侧壁与液体腔(9)连通设置，所述固定块(3)的侧壁上还固定设置有抽真空机(6)，所述抽真空机(6)的输出端固定设置有两根抽气管(7)，两个所述抽气管(7)均贯穿固定块(3)的横板和液体腔(9)设置，所述固定块(3)的横板上还固定设置有两根进气管(8)，两根所述进气管(8)均贯穿固定块(3)的横板和液体腔(9)设置，所述固定块(3)的纵板上设有与进气管(8)和抽气管(7)对应的开关控制机构，所述反应室(2)的下壁上还设置有衬底(11)，所述衬底(11)固定设置在的固定块(3)横板的下侧，且所述衬底(11)的侧壁均与固定块(3)的纵板侧壁和反应室(2)的侧壁紧贴设置。

2.根据权利要求1所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，其特征在于，所述固定机构包括两块卡板(14)，所述固定块(3)的纵板下壁上固定设置有插板(4)，所述反应室(2)的下壁上开设有与插板(4)对应的插槽(13)，所述插槽(13)的侧壁上对称开设有两个伸缩槽(15)，两个所述卡板(14)分别滑动设置在两个伸缩槽(15)内，且两个所述卡板(14)均通过伸缩弹簧(16)与伸缩槽(15)的内壁相连接，所述插板(4)靠近卡板(14)的两侧侧壁上均开设有与卡板(14)对应的卡槽(17)，两个所述卡板(14)上还均固定设置有拨杆(12).两个所述拨杆(12)均滑动贯穿壳体(1)的侧壁设置，所述壳体(1)的侧壁上对称开设有两个与拨杆(12)对应的条形滑口。

3.根据权利要求1所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，其特征在于，所述开关控制机构包括滑板(10)，所述滑板(10)滑动设置在固定块(3)的纵板上，且所述滑板(10)的侧壁均紧贴反应室(2)的侧壁设置，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)均滑动贯穿滑板(10)设置，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)内均滑动设置有两块挡板(20)，若干所述挡板(20)两两一组分别滑动设置在进气管(8)的下侧和抽气管(7)的上侧，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)的内壁上均对称开设有两个与挡板(20)对应的收纳槽(23)，每个所述挡板(20)分别滑动设置在收纳槽(23)内，且每个所述挡板(20)均通过第二弹簧(24)与收纳槽(23)的内壁相连接，每个所述挡板(20)靠近第二弹簧(24)的一侧侧壁上均固定设置有拉绳(25)，若干所述拉绳(25)均滑动贯穿抽气管(7)和进气管(8)的侧壁设置，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)的侧壁上均对称滑动设置有滑块(26)，每个所述拉绳(25)远离挡板(20)的一端均固定设置在滑块(26)上，每个所述进气管(8)和抽气管(7)内均设有与挡板(20)对应的限制机构。

4.根据权利要求3所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，其特征在于，所述限制机构包括若干滑杆(19)，每个所述抽气管(7)和进气管(8)内均对称开设有两个滑槽(18)，若干所述滑杆(19)滑动设置在滑槽(18)内，每个所述滑杆(19)均通过第一弹簧(21)与滑槽(18)的一端内壁相连接，且每个所述滑槽(18)均与收纳槽(23)连通设置，若干所述挡板(20)靠近滑杆(19)的一侧侧壁上均开设有与滑杆(19)对应的卡口，若干所述滑杆(19)靠近挡板(20)的一端侧壁均呈倾斜设置，且若干所述滑杆(19)远离挡板(20)的一端侧壁上均固定设置有推杆(22)，若干所述推杆(22)均贯穿进气管(8)和抽气管(7)的侧壁设置，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)的侧壁上均对称开设有两个与推杆(22)对应的滑口。

5.根据权利要求3所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，其特征在于，所述进气管(8)和抽气管(7)的外壁上均固定套设有密封套。

6.一种半导体材料的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1，首先，拨动拨杆(12)带动卡板(14)收入伸缩槽(15)内，将插板(4)插入反应室(2)的下壁上的插槽(13)内后，松开拨杆(12)，使得卡板(14)卡入插板(4)上的卡槽(17)内，即可完成对固定块(3)安装和固定。

S2，开启抽真空机(6)，通过输液口(5)向液体腔(9)内输送冷却液，再通过两个进气管(8)向衬底(11)上喷出两种气体进行反应，即可开始对半导体材料的制备。

S3，装置开启时，进气管(8)内的挡板(20)处于闭合状态，抽气管(7)内的挡板(20)处于打开状态，此时对衬底(11)上方的空间进行抽真空操作，此时滑板(10)下移，当滑板(10)移动至进气管(8)和抽气管(7)的下侧时，抽真空完成，此时滑板(10)推动两个进气管(8)侧壁上的滑块(26)下移从而带动拉绳(25)拉动进气管(8)内的挡板(20)打开，使得滑杆(19)卡入挡板(20)上的卡口，从而打开进气管(8)，同时，滑板(10)推动抽气管(7)侧壁上的推杆(22)下移从而带动抽气管(7)内的滑杆(19)下移从而将滑杆(19)从挡板(20)上的卡口内滑出，从而解除对挡板(20)的限制，在第二弹簧(24)的作用下，抽气管(7)内的挡板(20)闭合，从而关闭抽气管(7)，此时开始通过两个进气管(8)向衬底(11)上喷出经过冷却的两种气体进行反应从而制备半导体。

S4，在进气管(8)喷气进行制备半导体的过程中，由于衬底(11)上侧的气体增多，从而推动滑板(10)上移，在滑板(10)上移至进气管(8)和抽气管(7)的上侧后，滑板(10)推动进气管(8)上侧的推杆(22)带动进气管(8)内的滑杆(19)上移，从而解除进气管(8)内挡板(20)的限制，在第二弹簧(24)的作用下闭合挡板(20)，完成对进气管(8)的关闭，同时，滑板(10)带动抽气管(7)侧壁上的滑块(26)上移，从而拉动拉绳(25)带动抽气管(7)内的挡板(20)打开，从而停止进气进行反应，开始抽气。

S5，抽气开始，降低压强，保证反应过程中的真空环境，再次带动滑板(10)下移，依次开启进气管(8)，关闭抽气管(7)，进行半导体材料的制备，关闭进气管(8)，开启抽气管(7)，进行抽气，循环进行，降压的同时保证真空的反应环境，从而完成对半导体材料的制备。