[发明专利]一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺

说明书

本发明公开了一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，包括壳体，所述壳体上开设有反应室，所述反应室内固定设置有固定块，所述固定块呈L型设置，所述固定块的横板紧贴反应室的一侧侧壁设置，且所述固定块的纵板上设有与之对应的固定机构，所述固定块的横板内设有液体腔，所述壳体的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口，两个所述输液口均贯穿壳体和固定块的侧壁与液体腔连通设置，所述固定块的侧壁上还固定设置有抽真空机，所述抽真空机的输出端固定设置有两根抽气管。本发明能够在反应过程中自动的循环进行抽真空和通入气体交替操作，保证了反应的真空环境的同时稳定反应时的气压，提高了半导体制备的成品率。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺。

背景技术

在真空状态下制备半导体材料需要将不同反应气体分别送入反应室，在送入反应室之前不同反应气体必须分层隔离且需要冷却，在将不同气体送入反应室后，又要求反应气体在衬底表面充分均匀混合，因而一般都采用喷雾器装置进行送气。

但是，在现有技术中，在对半导体材料的制备过程中，常常由于持续的通入气体导致反应室内气压过高，但在对反应室降压的过程中常常会破坏反应室内的真空环境，大大降低了半导体制备的成品率，为此，我们提出了一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，如：传统半导体制备过程中常常会由于持续通入气体导致压强较大，在降压的过程中难以保证反应的真空环境，而提出的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，包括壳体，所述壳体上开设有反应室，所述反应室内固定设置有固定块，所述固定块呈L型设置，所述固定块的横板紧贴反应室的一侧侧壁设置，且所述固定块的纵板上设有与之对应的固定机构，所述固定块的横板内设有液体腔，所述壳体的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口，两个所述输液口均贯穿壳体和固定块的侧壁与液体腔连通设置，所述固定块的侧壁上还固定设置有抽真空机，所述抽真空机的输出端固定设置有两根抽气管，两个所述抽气管均贯穿固定块的横板和液体腔设置，所述固定块的横板上还固定设置有两根进气管，两根所述进气管均贯穿固定块的横板和液体腔设置，所述固定块的纵板上设有与进气管和抽气管对应的开关控制机构，所述反应室的下壁上还设置有衬底，所述衬底固定设置在的固定块横板的下侧，且所述衬底的侧壁均与固定块的纵板侧壁和反应室的侧壁紧贴设置。

优选地，所述固定机构包括两块卡板，所述固定块的纵板下壁上固定设置有插板，所述反应室的下壁上开设有与插板对应的插槽，所述插槽的侧壁上对称开设有两个伸缩槽，两个所述卡板分别滑动设置在两个伸缩槽内，且两个所述卡板均通过伸缩弹簧与伸缩槽的内壁相连接，所述插板靠近卡板的两侧侧壁上均开设有与卡板对应的卡槽，两个所述卡板上还均固定设置有拨杆.两个所述拨杆均滑动贯穿壳体的侧壁设置，所述壳体的侧壁上对称开设有两个与拨杆对应的条形滑口。

优选地，所述开关控制机构包括滑板，所述滑板滑动设置在固定块的纵板上，且所述滑板的侧壁均紧贴反应室的侧壁设置，两个所述进气管和两个抽气管均滑动贯穿滑板设置，两个所述进气管和两个抽气管内均滑动设置有两块挡板，若干所述挡板两两一组分别滑动设置在进气管的下侧和抽气管的上侧，两个所述进气管和两个抽气管的内壁上均对称开设有两个与挡板对应的收纳槽，每个所述挡板分别滑动设置在收纳槽内，且每个所述挡板均通过第二弹簧与收纳槽的内壁相连接，每个所述挡板靠近第二弹簧的一侧侧壁上均固定设置有拉绳，若干所述拉绳均滑动贯穿抽气管和进气管的侧壁设置，两个所述进气管和两个抽气管的侧壁上均对称滑动设置有滑块，每个所述拉绳远离挡板的一端均固定设置在滑块上，每个所述进气管和抽气管内均设有与挡板对应的限制机构。