[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

第1导电型的第1半导体部；

第2导电型的第2半导体部，设置在所述第1半导体部上，与所述第1半导体部接触；

第2导电型的第3半导体部，设置在所述第1半导体部上，第2导电型的杂质浓度比所述第2半导体部低；

第1导电型的第4半导体部，设置在所述第3半导体部上，与所述第3半导体部接触；

第1导电型的第5半导体部，设置在所述第1半导体部上；

第2导电型的第6半导体部，设置在所述第5半导体部上，与所述第5半导体部接触；

第2导电型的第7半导体部，设置在所述第6半导体部上，第2导电型的杂质浓度比所述第6半导体部高；

第2导电型的第8半导体部，设置在所述第1半导体部与所述第3半导体部之间，与所述第1半导体部接触，第2导电型的杂质浓度比所述第2半导体部低；

第1电极，与所述第1半导体部接触；以及

第2电极，与所述第4半导体部及所述第7半导体部接触。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第8半导体部的第2导电型的杂质浓度比所述第3半导体部的第2导电型的杂质浓度高。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第8半导体部的周围被所述第2半导体部包围。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第8半导体部与所述第1半导体部接触的面积比所述第2半导体部与所述第1半导体部接触的面积小。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其还具备：

第2导电型的第9半导体部，设置在所述第2半导体部上，将所述第3半导体部的周围及所述第4半导体部的周围包围，第2导电型的杂质浓度比所述第3半导体部高；以及

第1导电型的第10半导体部，设置在所述第5半导体部上，将所述第6半导体部的周围及所述第7半导体部的周围包围。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

包括第1二极管、第2二极管和第3二极管；

所述第2二极管和所述第3二极管串联连接在所述第1电极与所述第2电极之间；

在所述第1电极与所述第2电极之间，由所述第2二极管及所述第3二极管构成的二极管的组和所述第1二极管并联连接；

所述第1二极管包括所述第5半导体部与所述第6半导体部的PN结；

所述第2二极管包括所述第3半导体部与所述第4半导体部的PN结；

所述第3二极管包括所述第1二极管与所述第2二极管的PN结。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第3二极管是齐纳二极管。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第3二极管的PN结面积比所述第1二极管的PN结面积及所述第2二极管的PN结面积大。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体部的第2导电型的杂质浓度是1×10¹⁷原子个数每立方厘米以上1×10¹⁹原子个数每立方厘米以下，所述第8半导体部的第2导电型的杂质浓度是5×10¹³原子个数每立方厘米以上1×10¹⁵原子个数每立方厘米以下。