[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置具备：第1导电型的第1部；第2导电型的第2部，设置在第1部上，与第1部接触；第2导电型的第3部，设置在第1部上，第2导电型的杂质浓度比第2部低；第1导电型的第4部，设置在第3部上，与第3部接触；第1导电型的第5部，设置在第1部上；第2导电型的第6部，设置在第5部上，与第5部接触；第2导电型的第7部，设置在第6部上，第2导电型的杂质浓度比第6部高；第2导电型的第8部，设置在第1部与第3部之间，与第1部接触，第2导电型的杂质浓度比第2部低；第1电极，与第1部接触；以及第2电极，与第4部及第7部接触。

本申请基于日本专利申请第2020－46038号(申请日：2020年3月17日)主张优先权，这里通过引用而包含其全部内容。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

对于产品电容例如低于1pF那样的电容小的ESD(Electro Static Discharge，静电放电)保护二极管，通常构成将两个开关二极管与1个齐纳二极管组合的消弧(crowbar)型电路。对于这样的构造的产品，通过调整齐纳二极管的击穿电压来决定产品的耐压。通常，二极管击穿电压越高则击穿后的功率越大，所以ESD耐受量会下降。另一方面，由于应该保护的IC(Integrated Circuit，集成电路)的微缩化，ESD保护二极管的钳位电压的降低的要求变高。快速恢复(snap back)动作对于钳位电压的降低是有效的，但由于快速恢复开始电压比击穿电压大，所以在快速恢复刚开始后在齐纳二极管作用较大的电压。即，如果产品的高耐压化与快速恢复动作结合，则在快速恢复开始时，在齐纳二极管作用更大的电压，即使是快速恢复后的小的电流，每单位面积的功率也变大，担心会导致破坏。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够抑制快速恢复开始时的电流集中的半导体装置。

根据技术方案，半导体装置具备：第1导电型的第1半导体部；第2导电型的第2半导体部，设置在上述第1半导体部上，与上述第1半导体部接触；第2导电型的第3半导体部，设置在上述第1半导体部上，第2导电型的杂质浓度比上述第2半导体部低；第1导电型的第4半导体部，设置在上述第3半导体部上，与上述第3半导体部接触；第1导电型的第5半导体部，设置在上述第1半导体部上；第2导电型的第6半导体部，设置在上述第5半导体部上，与上述第5半导体部接触；第2导电型的第7半导体部，设置在上述第6半导体部上，第2导电型的杂质浓度比上述第6半导体部高；第2导电型的第8半导体部，设置在上述第1半导体部与上述第3半导体部之间，与上述第1半导体部接触，第2导电型的杂质浓度比上述第2半导体部低；第1电极，与上述第1半导体部接触；以及第2电极，与上述第4半导体部及上述第7半导体部接触。

附图说明

图1(a)是实施方式的半导体装置的示意剖面图，图1(b)是图1(a)中的第2半导体部、第4半导体部及第8半导体部的示意俯视图。

图2(a)是实施方式的半导体装置的等价电路图，图2(b)是第3二极管D3的电流电压特性图。

图3是其他实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图4是另一其他实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图5是比较例的半导体装置的示意剖面图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。另外，在各图中，对于相同的要素赋予相同的标号。

在以下的实施方式中，设第1导电型为N型，设第2导电型为P型而进行说明，但也可以设第1导电型为P型，设第2导电型为N型。此外，在以下的实施方式中假设半导体材料为硅，但半导体材料并不限于硅，例如也可以是碳化硅、氮化镓等。

图1(a)是实施方式的半导体装置1的示意剖面图。图1(b)是图1(a)中的第2半导体部12、第4半导体部14及第8半导体部18的示意俯视图。