[发明专利]包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路在审

专利信息
申请号: 202010894258.6 申请日: 2016-03-04
公开(公告)号: CN112073041A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: M·S·奥贝恩;C·科梅林格 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03K17/10 分类号: H03K17/10;H03K17/16;H03K17/30
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李兴斌
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 具有 连接 开关 晶体管 rf 电路
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

将栅极控制电压施加到RF电路中的开关晶体管的栅极;以及

将体极控制电压施加到所述开关晶体管的体极,其中当所述开关晶体管处于导通状态时,所述体极控制电压为正偏置电压,

其中所述栅极控制电压是从第一电压控制源施加到所述栅极的;以及

其中所述体极控制电压是从第二电压控制源施加到所述体极的,并且其中所述第二电压控制源独立于所述第一电压控制源。

2.根据权利要求1所述的方法,其中:

所述正偏置电压大于0.7伏特。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括:

当所述开关晶体管处于导通状态时,通过将所述正偏置电压施加到所述开关晶体管的所述体极来改善所述RF电路的器件线性度。

4.根据权利要求3所述的方法,其中:

改善的所述器件线性度是在所述RF电路的基频的三倍处的减轻的谐波信号。

5.一种RF电路,包括:

具有源极、漏极、栅极和体极的开关晶体管;

第一电压控制源,被配置为向所述栅极施加控制电压;以及

第二电压控制源,独立于所述第一电压控制源,被配置为向所述体极施加体极控制电压,使得当所述开关晶体管处于导通状态时,所述体极控制电压是正偏置电压。

6.根据权利要求5所述的RF电路,其中:

所述体极偏置电压是大于0.7伏特。

7.根据权利要求5所述的RF电路,其中:

所述第一电压控制源包括耦合至第一正电压生成器和第一负电压生成器的第一电压电平移位器;以及

所述第二电压控制源包括耦合至第二正电压生成器和第二负电压生成器的第二电压电平移位器。

8.根据权利要求5所述的RF电路,其中:

所述第二电压控制源被配置为当所述开关晶体管处于关断状态时施加负偏置电压。

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