[发明专利]包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路在审

专利信息
申请号: 202010894258.6 申请日: 2016-03-04
公开(公告)号: CN112073041A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: M·S·奥贝恩;C·科梅林格 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03K17/10 分类号: H03K17/10;H03K17/16;H03K17/30
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李兴斌
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 具有 连接 开关 晶体管 rf 电路
【说明书】:

本公开的实施例涉及包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路。在一些方法实施例和装置实施例中,RF电路包括具有源极、漏极、栅极以及体极的开关晶体管。栅极控制电压被施加到开关晶体管的栅极。体极控制电压被施加到开关晶体管的体极。当开关晶体管处于导通状态时,体极控制电压为正偏置电压。在一些实施例中,RF电路包括通过第一电阻施加到开关晶体管的栅极、并通过第二电阻施加到开关晶体管的体极的控制电压。第一电阻不同于第二电阻。

本申请是申请日为2016年3月4日、申请号为201680012669.X、发明名称为“包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路”的中国发明专利申请的分案申请。

背景技术

射频(RF)电路通常具有在其中生成的不需要的谐波信号。谐波信号通常由RF电路中组件的非线性物理相互作用(即,电容、电阻和电感)引起。谐波信号通常降低RF电路的性能,并因此降低包含RF电路的整体器件的性能。因此,已经开发了各种技术来减轻RC电路内的谐波信号和/或它们的影响,例如,增加器件布局的对称性、通过引入介电衬底来减少半导体电容、在器件附近使用富陷阱层来减少自由载体的寿命等。

发明内容

在一些实施例中,一种RF电路包括具有源极、漏极、栅极和体极的开关晶体管。栅极控制电压被施加到开关晶体管的栅极。体极控制电压被施加到开关晶体管的体极。当开关晶体管处于导通状态时,体极控制电压为正偏置电压。

在一些实施例中,一种方法包括:将栅极控制电压施加到RF电路中的开关晶体管的栅极;以及将体极控制电压施加到开关晶体管的体极。当开关晶体管处于导通状态时,体极控制电压为正偏置电压。

在一些实施例中,一种RF电路包括具有源极、漏极、栅极和体极的开关晶体管。控制电压通过第一电阻被施加到开关晶体管的栅极,并且通过第二电阻被施加到开关晶体管的体极。第一电阻不同于第二电阻。

一些实施例涉及产生栅极控制电压的第一电压控制源以及产生体极控制电压的第二电压控制源。在一些实施例中,当开关晶体管处于导通状态时,正偏置电压大于约0.7伏特。在一些实施例中,当开关晶体管处于导通状态时,正偏置电压改善了RF电路的器件线性度,例如,谐波信号和/或互调失真。在一些实施例中,谐波信号在RF电路的基频的三倍处。

附图说明

图1是包括本发明的一个实施例的RF电路的简化电子示意图。

图2是根据本发明的一个实施例的用于图1所示的RF电路的RF开关的简化电子示意图。

图3是包括本发明的一个备选实施例的另一RF电路的简化电子示意图。

图4是根据本发明的一个实施例的用于图3所示的RF电路的另一RF开关的简化电子示意图。

图5是示出了包括本发明的一个实施例的示例RF开关的功能的谐波功率与输入功率的简化绘图。

图6是示出了包括本发明的一个实施例的示例RF开关的功能的体极电流与输入功率的简化绘图。

具体实施方式

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