[发明专利]一种高灵敏手性分子探测表面

权利要求书

1.一种高灵敏手性分子探测表面，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、孔洞、贵金属层、贵金属底部，所述磁性材料层置于所述基底上，所述孔洞置于所述磁性材料层中，所述贵金属层置于所述磁性材料层的表面，所述贵金属底部置于所述孔洞的底部；应用时，在所述孔洞中设置待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射所述磁性材料层，通过测量反射光实现手性分子探测。

2.如权利要求1所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：还包括贵金属侧部，所述贵金属侧部固定在所述孔洞的侧面上。

3.如权利要求2所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述贵金属侧部不与所述贵金属底部接触。

4.如权利要求1-3任一项所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述孔洞不贯穿所述磁性材料层。

5.如权利要求4所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述孔洞为圆形或方形。

6.如权利要求5所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述孔洞的直径大于200纳米、小于1微米。

7.如权利要求6所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述贵金属层的厚度小于100纳米。

8.如权利要求7所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述贵金属底部的厚度小于100纳米。

9.如权利要求8所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述孔洞的深度大于500纳米、小于1微米。

10.如权利要求9所述的高灵敏手性分子探测表面，其特征在于：所述磁性材料层的材料为钴、铋铁石榴石。