[发明专利]一种高灵敏手性分子探测表面

说明书

本发明涉及手性分子探测领域，具体提供了一种高灵敏手性分子探测表面，包括基底、磁性材料层、孔洞、贵金属层、贵金属底部，磁性材料层置于基底上，孔洞置于磁性材料层中，贵金属层置于磁性材料层的表面，贵金属底部置于孔洞的底部；应用时，在孔洞中设置待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射磁性材料层，通过测量反射光实现手性分子探测。本发明具有手性分子探测灵敏度高的优点。

技术领域

本发明涉及手性分子探测领域，具体涉及一种高灵敏手性分子探测表面。

背景技术

大多数药物分子是手性分子。手性分子探测在医药领域非常重要。传统手性分子的手性探测信号弱、灵敏度低。探索基于新原理的手性分子的手性探测方法及装置，不仅能够提高手性探测的信号强度和灵敏度，而且将有力地推动手性光子学的发展。

发明内容

为解决以上问题，本发明提供了一种高灵敏手性分子探测表面，包括基底、磁性材料层、孔洞、贵金属层、贵金属底部，磁性材料层置于基底上，孔洞置于磁性材料层中，贵金属层置于磁性材料层的表面，贵金属底部置于孔洞的底部；应用时，在孔洞中设置待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射磁性材料层，通过测量反射光实现手性分子探测。

更进一步地，还包括贵金属侧部，贵金属侧部固定在孔洞的侧面上。

更进一步地，贵金属侧部不与贵金属底部接触。

更进一步地，孔洞不贯穿磁性材料层。

更进一步地，孔洞为圆形或方形。

更进一步地，孔洞的直径大于200纳米、小于1微米。

更进一步地，贵金属层的厚度小于100纳米。

更进一步地，贵金属底部的厚度小于100纳米。

更进一步地，孔洞的深度大于500纳米、小于1微米。

更进一步地，磁性材料层的材料为钴、铋铁石榴石。

本发明的有益效果：本发明提供了一种高灵敏手性分子探测表面，包括基底、磁性材料层、孔洞、贵金属层、贵金属底部，磁性材料层置于基底上，孔洞置于磁性材料层中，贵金属层置于磁性材料层的表面，贵金属底部置于孔洞的底部；应用时，在孔洞中设置待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射磁性材料层，通过测量反射光实现手性分子探测。本发明应用贵金属层与贵金属底部限制电场，从而在孔洞中形成强电场，应用强电场增强手性分子的手性，从而实现高灵敏手性分子探测。此外，由于可以通过增强外磁场，来提高磁光效应的强度，所以可以通过提高外界磁场强度的方法，增强不同圆偏振光入射时，手性分子导致的反射光差异，更进一步地提高手性分子检测的灵敏度。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是一种高灵敏手性分子探测表面的示意图。

图2是又一种高灵敏手性分子探测表面的示意图。

图中：1、基底；2、磁性材料层；3、孔洞；4、贵金属层；5、贵金属底部；6、贵金属侧部。

具体实施方式

为进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本发明的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。

实施例1