[发明专利]分栅式闪存器件及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种分栅式闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：

获取衬底，所述衬底上依次形成有栅介质层薄膜、浮栅多晶硅薄膜；

在所述浮栅多晶硅薄膜上形成硬掩膜层薄膜；

刻蚀所述硬掩膜层薄膜，在浮栅预设区域形成不少于2个开口，所述开口露出部分所述浮栅多晶硅薄膜；

进行热氧化工艺，在所述浮栅预设区域的浮栅多晶硅薄膜中形成场氧层，所述场氧层的底部与所述浮栅多晶硅薄膜的底部之间的距离不小于预设距离；

进行刻蚀工艺，去除所述衬底上的硬掩膜层薄膜，以及所述浮栅预设区域之外的栅介质层薄膜、浮栅多晶硅薄膜，获取由剩余栅介质层薄膜、剩余浮栅多晶硅薄膜构成的浮栅结构；

在所述衬底上形成隧穿氧化层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述开口在所述浮栅预设区域均匀分布。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述开口在浮栅预设区域关于所述浮栅预设区域的中心线对称分布。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成选择栅结构，所述选择栅结构位于所述浮栅结构一侧的隧穿氧化层表面，并沿所述隧穿氧化层延伸到部分所述浮栅结构上。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述硬掩膜层薄膜，在浮栅预设区域形成不少于2个开口的步骤包括：

在所述硬掩膜层薄膜上形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形露出浮栅预设区域中预设开口区域的硬掩膜层薄膜；

刻蚀去除所述预设开口区域的硬掩膜层薄膜，在所述预设开口区域形成所述开口；

去除所述第一光刻胶图形。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述栅介质层薄膜包括氧化层薄膜、高k栅介质层薄膜。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述浮栅多晶硅薄膜上形成硬掩膜层薄膜之前还包括形成浅槽隔离结构的步骤。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层薄膜至少包括氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳氧化硅薄膜、碳氮化硅薄膜、碳氮氧化硅薄膜种的一种。

9.一种分栅式闪存器件，其特征在于，包括：

衬底；

栅介质层，位于所述衬底上；

浮栅多晶硅层，位于所述栅介质层上；

场氧层，位于所述浮栅多晶硅层上，所述场氧层是通过热氧化工艺形成的；

隧穿氧化层，位于所述场氧层上，且沿所述场氧层延伸至所述浮栅多晶硅层两侧的衬底上；

其中，所述场氧层的底部与浮栅多晶硅的底部之间的距离不小于预设距离；所述场氧层与所述浮栅多晶硅层接触面的纵截面为至少具有两个波谷的波浪形。

10.根据权利要求9所述的分栅式闪存器件，其特征在于，所述波浪形与所述隧穿氧化层交接处的切线斜率大于预设值；所述预设值是指所述场氧层与所述浮栅多晶硅层接触面的纵截面为具有一个波谷的抛物线形时，所述抛物线形与所述隧穿氧化层交接处的切线斜率。

11.根据权利要求9所述的分栅式闪存器件，其特征在于，所述波浪形关于所述场氧层的中心线对称。

12.根据权利要求9所述的分栅式闪存器件，其特征在于，所述波浪形具有两个波谷，且所述波谷与所述浮栅多晶硅层底部之间的距离相等。

13.根据权利要求9所述的分栅式闪存器件，其特征在于，还包括选择栅结构，选择栅结构位于所述浮栅多晶硅层一侧的隧穿氧化层表面，并沿所述隧穿氧化层延伸到部分所述浮栅多晶硅层上。

14.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求9-13所述的分栅式闪存器件。