[发明专利]分栅式闪存器件及其制备方法、电子设备

说明书

本发明涉及一种分栅式闪存器件及其制备方法、电子设备，包括获取依次形成有栅介质层薄膜、浮栅多晶硅薄膜的衬底；在浮栅多晶硅薄膜上形成硬掩膜层薄膜；刻蚀硬掩膜层薄膜，在浮栅预设区域形成不少于2个开口，开口露出部分浮栅多晶硅薄膜；进行热氧化工艺，在浮栅预设区域的浮栅多晶硅薄膜中形成场氧层，场氧层的底部与浮栅多晶硅薄膜的底部之间的距离不小于预设距离；进行刻蚀工艺，去除衬底上的硬掩膜层薄膜，以及浮栅预设区域之外的栅介质层薄膜、浮栅多晶硅薄膜，获取由剩余栅介质层薄膜、剩余浮栅多晶硅薄膜构成的浮栅结构；在衬底上形成隧穿氧化层。在场氧层底部与浮栅多晶硅薄膜的底部之间的距离不变的情况下，获得一个更好的擦除性能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种分栅式闪存器件结构及其制备方法，还涉及一种电子设备。

背景技术

闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。

闪存为分栅结构、堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于其特殊的结构，相比堆叠栅闪存在编程和擦除的时候都体现出其独特的性能优势，因此分栅式结构由于具有高的编程效率，字线的结构可以避免“过擦除”等优点，应用尤为广泛。浮栅尖端的高度与尖锐度会影响浮栅在编程、擦写时候耦合的电压，从而影响闪存在编程、擦写时的性能，增大场氧的厚度可以使浮栅尖端变得更尖锐，但是浮栅中心位置底部与场氧底部之间的距离很小，增大场氧的厚度可能会使浮栅氧化穿透，并且当浮栅厚度过小时，不利于分栅式闪存存储器件写入时电子的存储，导致器件的性能变差。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题提供一种分栅式闪存器件及其制备方法，在不改变浮栅结构底部与场氧底部之间距离的同时，改善浮栅结构的尖端。

一种分栅式闪存器件的制备方法，包括：

获取衬底，所述衬底上依次形成有栅介质层薄膜、浮栅多晶硅薄膜；

在所述浮栅多晶硅薄膜上形成硬掩膜层薄膜；

刻蚀所述硬掩膜层薄膜，在浮栅预设区域形成不少于2个开口，所述开口露出部分所述浮栅多晶硅薄膜；

进行热氧化工艺，在所述浮栅预设区域的浮栅多晶硅薄膜中形成场氧层，所述场氧层的底部与所述浮栅多晶硅薄膜的低部之间的距离不小于预设距离；

进行刻蚀工艺，去除所述衬底上的硬掩膜层薄膜，以及所述浮栅预设区域之外的栅介质层薄膜、浮栅多晶硅薄膜，获取由剩余栅介质层薄膜、剩余浮栅多晶硅薄膜构成的浮栅结构；

在所述衬底上形成隧穿氧化层薄膜。

在其中一个实施例中，所述开口在所述浮栅预设区域均匀分布。

在其中一个实施例中，所述开口在浮栅预设区域关于所述浮栅预设区域的中心线对称分布。

在其中一个实施例中，所述方法还包括：

形成选择栅结构，所述选择栅结构位于所述浮栅结构一侧的隧穿氧化层表面，并沿所述隧穿氧化层延伸到部分所述浮栅结构上。

在其中一个实施例中，所述刻蚀所述硬掩膜层薄膜，在浮栅预设区域形成不少于2个开口的步骤包括：

在所述硬掩膜层薄膜上形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形露出浮栅预设区域中预设开口区域的硬掩膜层薄膜；

刻蚀去除所述预设开口区域的硬掩膜层薄膜，在所述预设开口区域形成所述开口；

去除所述第一光刻胶图形。

在其中一个实施例中，所述栅介质层薄膜包括氧化层薄膜、高k栅介质层薄膜。