[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，

沟道区，所述沟道区包括多层纳米结构，多层所述纳米结构间隔形成在所述半导体衬底的上方；

源/漏外延层，所述源/漏外延层形成在所述沟道区的两端；

栅堆叠，所述栅堆叠包括环绕在所述纳米结构外围的第一栅堆叠，以及填充在牺牲栅所在区域的第二栅堆叠；沿着所述纳米结构的宽度方向，所述牺牲栅所在区域横跨在所述沟道区的上方；

衬垫层，所述衬垫层至少包括位于所述沟道区以及第一栅堆叠与所述源/漏外延层之间的第一衬垫层；所述第一衬垫层与所述第一栅堆叠的接触面凸出于所述第一衬垫层与所述沟道区的接触面；所述第一栅堆叠的长度小于所述纳米结构的长度；沿着所述第一栅堆叠的长度方向，所述第一栅堆叠的侧壁相对于所述纳米结构的侧壁向内凹入，形成凹口；所述第一衬垫层至少填充满所述凹口。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬垫层还包括位于所述源/漏外延层与半导体衬底之间的第二衬垫层；

所述半导体衬底对应所述第二衬垫层的区域与所述半导体衬底对应所述栅堆叠的区域齐平；或，

所述半导体衬底对应所述栅堆叠的区域凸出于所述半导体衬底对应所述第二衬垫层的区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多层所述纳米结构与所述衬垫层的材料相同，成分相同或不同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多层所述纳米结构的材料为Si_1-yGe_y，其中，0y≤100%；

所述衬垫层的材料为Si_1-zGe_z，其中，0z≤100%；

所述纳米结构中的Ge的质量百分比与所述衬垫层中Ge的质量百分比的差值的绝对值为大于等于0，且小于等于25%。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源/漏外延层的材料为Si_1-xGe_x或Ge_1-vSn_v；其中，35%≤x≤75%，2%≤v≤15%。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬垫层的厚度为3-15nm；

和/或，

所述衬垫层中含有掺杂离子，所述掺杂离子的浓度为5×10¹⁸ cm^-3-1×10²¹cm^-3。

7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底包括第一半导体衬底，所述沟道区形成在所述第一半导体衬底的上方；或，

所述半导体衬底包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述沟道区形成在所述第二半导体衬底的上方；所述第一半导体衬底的材料为Si，所述第二半导体衬底的材料为Si_1-nGe_n，其中，30%≤n≤75%；和/或，所述第二半导体衬底的厚度为300nm-3um。