[发明专利]MOS管的保护电路在审

专利信息
申请号: 202010900849.X 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN112104348A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 曾勇平;范文华;周升 申请(专利权)人: 深圳市优必选科技股份有限公司
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 刘永康
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: mos 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种MOS管的保护电路,所述MOS管连接在具有电势差的两个连接点之间,其特征在于,所述保护电路包括:

采样放大电路,与所述MOS管连接,用于对所述MOS管的电流进行采样并放大,输出电流采样电压;

比较电路,与所述采样放大电路连接,用于将所述电流采样电压与一基准电压比较,根据比较结果输出控制信号;

锁存电路,连接在所述比较电路和所述MOS管的驱动芯片之间,所述锁存电路用于基于所述控制信号锁存或释放接入的PWM信号,以控制所述驱动芯片驱动所述MOS管的通断,以控制其电流在一定阈值以下。

2.如权利要求1所述的MOS管的保护电路,其特征在于,所述比较电路在所述电流采样电压小于等于所述基准电压时,输出开通控制信号,所述锁存电路根据所述开通控制信号控制所述驱动芯片驱动所述MOS管在导通状态;

所述比较电路在所述电流采样电压大于所述基准电压时,输出关断控制信号,所述锁存电路根据所述关断控制信号控制所述驱动芯片关断所述MOS管。

3.如权利要求2所述的MOS管的保护电路,其特征在于,所述锁存电路包括:

锁存信号产生模块,用于在接收到开通控制信号时,关断锁存电压输出,还用于在接收到所述关断控制信号时,输出所述锁存电压,所述锁存电压大于所述PWM信号的高电平电压;

第一比较器,其正相输入端、反相输入端分别连接所述PWM信号、所述锁存电压,所述第一比较器在没有接收到所述锁存电压时,输出与所述PWM信号时序相同的驱动PWM,在接收到所述锁存电压时,将停止输出所述驱动PWM。

4.如权利要求3所述的MOS管的保护电路,其特征在于,还包括过流检测模块,与所述比较器和所述锁存信号产生模块连接,用于在接收到开通控制信号时,输出第一信号,在接收到关断控制信号是输出与所述第一信号电平相反的第二信号;

所述锁存信号产生模块用于在接收到所述第一信号时,关断所述锁存电压输出,还用于在接收到所述第二信号时,输出所述锁存电压。

5.如权利要求4所述的MOS管的保护电路,其特征在于,所述过流检测模块包括一微处理器,所述微处理器具有一输入管脚和一输出管脚,所述输入管脚在接收到开通控制信号时,所述输出管脚输出第一信号;所述输入管脚在接收到关断控制信号时,所述输出管脚输出与所述第二信号。

6.如权利要求5所述的MOS管的保护电路,其特征在于,所述锁存信号产生模块包括高于预设电平导通的功率开关管,所述功率开关管的第一导通端通过一电阻连接电源,所述功率开关管的第一导通端还连接所述第一比较器的反相输入端,所述功率开关管的第二导通端接大地,所述功率开关管的控制端连接所述微处理器的输出管脚。

7.如权利要求6所述的MOS管的保护电路,其特征在于,所述功率开关管包括N型MOS管,所述MOS管的栅极连接所述微处理器的输出管脚,所述MOS管的源极连接大地,所述MOS管的漏极连接所述第一比较器的反相输入端。

8.如权利要求1至7任一项所述的MOS管的保护电路,其特征在于,所述采样放大电路包括采样电阻以及差分放大器,所述采样电阻与所述MOS管的电流流入或流出端连接,所述差分放大器的两个输入端分别接入所述采样电阻两端连接,并将两路采样信号的压差以一固定增益放大后输出。

9.如权利要求1至7任一项所述的MOS管的保护电路,其特征在于,所述比较电路包括第一电阻、第二电阻以及第二比较器,所述第二比较器的正相输入端通过所述第一电阻连接所述基准电压,所述第二比较器的反相输入端通过所述第二电阻与所述采样放大电路的输出端连接,所述第二比较器的输出端连接所述锁存电路。

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