[发明专利]MOS管的保护电路在审
申请号: | 202010900849.X | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN112104348A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 曾勇平;范文华;周升 | 申请(专利权)人: | 深圳市优必选科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/082 | 分类号: | H03K17/082 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 刘永康 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mos 保护 电路 | ||
本申请涉及过流保护领域,提供了一种MOS管的保护电路,包括:采样放大电路,与所述MOS管连接,用于对所述MOS管的电流进行采样并放大,输出电流采样电压;比较电路,与所述采样放大电路连接,用于将所述电流采样电压与一基准电压比较,根据比较结果输出控制信号;锁存电路,连接在所述比较电路和所述MOS管的驱动芯片之间,所述锁存电路用于基于所述控制信号和PWM信号控制所述驱动芯片驱动所述MOS管的通断,以控制其电流在一定阈值以下。通过采样并放大MOS管的电流,将采样电压和基准电压比较,根据比较结果对驱动MOS管的PWM信号进行锁存或释放,控制MOS管的电流在一定阈值以下,实现对MOS管的过流保护,提高MOS管的寿命和电路安全性。
技术领域
本申请属于电子电路领域,尤其涉及一种MOS管的保护电路。
背景技术
随着技术的发展,驱动集成电路(Integrated circuit,IC)的出现,方便了场效应管(MOS管)的驱动控制。市场上MOS管的驱动IC有两种,一种是自带电流保护功能,另一种没有电流保护功能。在实际应用中,采用没有电流保护功能的驱动IC驱动MOS管时,驱动IC在控制算法的失控或器件的失效时,不能对MOS管实现保护,MOS管的电流超过其限值时,将会损坏,导致产品失效。
发明内容
本申请的目的在于提供一种MOS管的保护电路,旨在解决MOS管过流容易损坏的问题。
本申请实施例提了一种MOS管的保护电路,所述MOS管连接在具有电势差的两个连接点之间,所述保护电路包括:
采样放大电路,与所述MOS管连接,用于对所述MOS管的电流进行采样并放大,输出电流采样电压;
比较电路,与所述采样放大电路连接,用于将所述电流采样电压与基准电压比较,根据比较结果输出控制信号;
锁存电路,连接在所述比较电路和所述MOS管的驱动芯片之间,所述锁存电路用于基于所述控制信号锁存或释放接入的PWM信号,以控制所述驱动芯片驱动所述MOS管的通断,以控制其电流在一定阈值以下。
在其中一个实施例中,所述比较电路在所述电流采样电压小于等于所述基准电压时,输出开通控制信号,所述锁存电路根据所述开通控制信号控制所述驱动芯片驱动所述MOS管在导通状态;
所述比较电路在所述电流采样电压大于所述基准电压时,输出关断控制信号,所述锁存电路根据所述关断控制信号控制所述驱动芯片关断所述MOS管。
在其中一个实施例中,所述锁存电路包括:
锁存信号产生模块,用于在接收到开通控制信号时,关断锁存电压输出,还用于在接收到所述关断控制信号时,输出所述锁存电压,所述锁存电压大于所述PWM信号的高电平电压;
第一比较器,其正相输入端、反相输入端分别连接所述PWM信号、所述锁存电压,所述第一比较器在没有接收到所述锁存电压时,输出与所述PWM信号时序相同的驱动PWM,在接收到所述锁存电压时,将停止输出所述驱动PWM。
在其中一个实施例中,还包括过流检测模块,与所述比较器和所述锁存信号产生模块连接,用于在接收到开通控制信号时,输出第一信号,在接收到关断控制信号是输出与所述第一信号电平相反的第二信号;
所述锁存信号产生模块用于在接收到所述第一信号时,关断所述锁存电压输出,还用于在接收到所述第二信号时,输出所述锁存电压。
在其中一个实施例中,所述过流检测模块包括一微处理器,所述微处理器具有一输入管脚和一输出管脚,所述输入管脚在接收到开通控制信号时,所述输出管脚输出第一信号;所述输入管脚在接收到关断控制信号时,所述输出管脚输出与所述第二信号。
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