[发明专利]等离子体处理装置、处理方法及上部电极构造

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

腔室；

下部电极，用于在所述腔室内放置基板；

边缘环，布置于所述下部电极的周围；

部件，布置于在所述腔室内与所述下部电极相对的上部电极的周围；

气体供给部，向所述部件与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；以及

高频供电部，向所述下部电极或所述上部电极施加用于生成所述处理气体的等离子体的高频电力，

其中，所述部件具有内侧部件、以及位于所述内侧部件的外侧的外侧部件，

所述外侧部件在径向上相对于所述边缘环位于外侧，

所述外侧部件的至少一部分能够根据所述边缘环的消耗而在上下方向上移动。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述外侧部件与所述边缘环在平面视图中不重叠。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

所述外侧部件与所述内侧部件之间电绝缘。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述边缘环越被消耗，则所述外侧部件越向上方移动。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述内侧部件被固定。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述外侧部件接地。

7.一种等离子体处理装置中的处理方法，该等离子体处理装置包括：

腔室；

下部电极，用于在所述腔室内放置基板；

边缘环，布置于所述下部电极的周围；

部件，布置于在所述腔室内与所述下部电极相对的上部电极的周围；

气体供给部，向所述部件与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；以及

高频供电部，向所述下部电极或所述上部电极施加用于生成所述处理气体的等离子体的高频电力，

其中，所述部件具有内侧部件、以及位于所述内侧部件的外侧的外侧部件，

所述外侧部件在径向上相对于所述边缘环位于外侧，

所述外侧部件的至少一部分能够根据所述边缘环的消耗而在上下方向上移动，

所述处理方法包括：

根据与所述边缘环的消耗相对应的值，使所述外侧部件的至少一部分在上下方向上移动的工序。

8.根据权利要求7所述的处理方法，其中，

与所述边缘环的消耗相对应的所述值是所述高频电力的施加时间。

9.一种上部电极构造，包括：

上部电极、以及布置在所述上部电极的周围的部件，

其中，所述部件具有内侧部件、以及位于所述内侧部件的外侧的外侧部件，

所述外侧部件在径向上相对于边缘环位于外侧，该边缘环布置在与所述上部电极相对的下部电极的周围，

所述外侧部件的至少一部分能够根据所述边缘环的消耗而在上下方向上移动。