[发明专利]等离子体处理装置、处理方法及上部电极构造

说明书

一种等离子体处理装置，其用于对在基板的边缘区域产生的倾斜形状的随时间的变化进行抑制。该等离子体处理装置包括：腔室；下部电极，用于在所述腔室内放置基板；边缘环，布置于所述下部电极的周围；部件，布置于在所述腔室内与所述下部电极相对的上部电极的周围；气体供给部，向所述部件与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；以及高频供电部，向所述下部电极或所述上部电极施加用于生成所述处理气体的等离子体的高频电力，其中，所述部件具有内侧部件、以及位于所述内侧部件的外侧的外侧部件，所述外侧部件在径向上相对于所述边缘环位于外侧，所述外侧部件的至少一部分能够根据所述边缘环的消耗而在上下方向上移动。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置、处理方法及上部电极构造。

背景技术

当因聚焦环的消耗而在聚焦环与基板之间的边界附近在鞘(sheath)处产生倾斜时，离子的入射会变为倾斜，使得蚀刻形状在基板的边缘区域处并非垂直而是倾斜。将倾斜的蚀刻形状也称作倾斜形状。专利文献1提出了一种对倾斜形状进行抑制的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2017-212051号公报

发明内容

本发明要解决的问题

在基板的边缘区域产生的倾斜形状的随时间的变化有时会成为使产额(yield)降低的因素。

本公开提供一种等离子体处理装置、处理方法及上部电极构造，其用于对在基板的边缘区域产生的倾斜形状的随时间的变化进行抑制。

用于解决问题的手段

根据本公开的一个实施方式，提供一种等离子体处理装置，包括：腔室；下部电极，用于在所述腔室内放置基板；边缘环，布置于所述下部电极的周围；部件，布置于在所述腔室内与所述下部电极相对的上部电极的周围；气体供给部，向所述部件与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；以及高频供电部，向所述下部电极或所述上部电极施加用于生成所述处理气体的等离子体的高频电力，其中，所述部件具有内侧部件、以及位于所述内侧部件的外侧的外侧部件，所述外侧部件在径向上相对于所述边缘环位于外侧，所述外侧部件的至少一部分能够根据所述边缘环的消耗而在上下方向上移动。

发明的效果

根据一个方面，能够对在基板的边缘区域产生的倾斜形状的随时间的变化进行抑制。

附图说明

图1是示出根据一个实施方式的等离子体处理装置的一个示例的剖面示意图。

图2是示出与根据一个实施方式的外侧部件的厚度相对应的倾斜形状的一个示例的图。

图3是示出根据一个实施方式的外侧部件的动作的一个示例的图。

图4是示出根据一个实施方式的外侧部件的动作的一个示例的图。

图5是示出根据一个实施方式的外侧部件的动作的一个示例的图。

图6是示出根据一个实施方式的处理方法的一个示例的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式中进行说明。在各附图中，针对相同的构成部分赋予相同的符号，并且有时会省略重复的说明。

[等离子体处理装置]

图1是概要性地示出根据一个实施方式的等离子体处理装置1的图。图1所示的等离子体处理装置1是电容耦合型的装置。等离子体处理装置1具有腔室10。腔室10在其内部提供内部空间10s。