[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体衬底；

第1半导体层，在与所述半导体衬底的表面交叉的第1方向上与所述半导体衬底的表面对向；

第2半导体层，相比所述第1半导体层距所述半导体衬底较远，在所述第1方向上与所述第1半导体层对向；

第1导电层，相比所述第2半导体层距所述半导体衬底较远，连接于所述第2半导体层；

第3半导体层，在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第2半导体层并排，连接于所述第1半导体层；及

第2导电层，在所述第2方向上与所述第1导电层并排，连接于所述第3半导体层；且

所述第1半导体层、所述第2半导体层及所述第3半导体层是将与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向作为长度方向。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其具备：

第4半导体层，在所述第2方向上与所述第3半导体层并排，相比所述第3半导体层距所述第2半导体层较远，在所述第1方向上与所述第1半导体层对向；及

第3导电层，在所述第2方向上与所述第2导电层并排，相比所述第2导电层距所述第1导电层较远，连接于所述第4半导体层；且

所述第4半导体层是将所述第3方向作为长度方向。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其具备：

第5半导体层，连接于所述第3半导体层在所述第3方向上的端部，将所述第2方向作为长度方向；及

第4导电层，连接于所述第2导电层在所述第3方向上的端部，将所述第2方向作为长度方向。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其

具备连接着键合线的焊垫电极，且

所述第1半导体层、所述第2半导体层及所述第3半导体层分别具备设置在从所述第1方向观察时与所述焊垫电极重叠的位置的部分、及设置在从所述第1方向观察时不与所述焊垫电极重叠的位置的部分。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其

具备连接于所述第1导电层及所述第2导电层的多个第1接触电极，且

所述多个第1接触电极设置在从所述第1方向观察时不与所述焊垫电极重叠的位置。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中

所述半导体衬底的与所述第1半导体层对向的区域设置着包含N型杂质的N阱。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其

具备连接着键合线的焊垫电极，且

具备连接于所述N阱的第2接触电极，

所述第2接触电极设置在从所述第1方向观察时与所述焊垫电极重叠的位置。