[发明专利]显示装置及其制备方法在审
申请号: | 202010907316.4 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN111900184A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 刘俊领 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种显示装置及其制备方法,该显示装置包括:基板;导电层,设置于所述基板上;及反射层,设置于所述导电层上;其中,在所述反射层及部份的所述导电层开设多个烧瓶状的孔,每一所述烧瓶状的孔的深度大于所述反射层的厚度。相较于现有的显示装置,本发明通过在反射层及部份的所述导电层开设多个烧瓶状的孔,使得接合物渗入所述烧瓶状的孔,固化后的所述接合物与膜层结构之间形成物理衔接的接合物内嵌,大大提高了所述接合物的稳定性,从而改善了所述接合物与所述导电层之间的附着力不足的问题,同时改善了所述发光器件相对所述导电层位置易偏移或脱落的问题,进而提高了SMT工艺中焊接的可靠性,提升了生产良率和产品质量。
技术领域
本发明涉及Mini-LED或Micro-LED背光显示技术领域,具体涉及一种Mini-LED或Micro-LED背光的显示装置及其制备方法。
背景技术
小型发光二极管(Mini-Light Emitting Diode,Mini-LED)作为微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode,Micro-LED)与背板结合的产物,具有高对比度、高显色性能等可与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)相媲美的特点,成本稍高液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),仅为OLED的六成左右,相对Micro-LED、OLED更易实施,所以Mini-LED成为各大面板厂商布局热点。
Mini-LED背光制作流程:玻璃基板制作→白油制程→表面贴装制程(SurfaceMounted Technology,SMT)→覆晶薄膜绑定(Chip On Film bonding,COF bonding)→拼接及模组等,其中在SMT目的为将LED灯逐个转移到玻璃玻璃基板上,其工序可分为:清洗→印刷接合物→LED贴片→回流焊→检测→返修等。现有技术中,SMT仅适用于与接合物附着力较好一类金属如:铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等,但此类材料成本高、种类有限;当面对二类金属如:铝(AL)、钼(Mo)、钛(Ti)金属时,其回流焊时或之前表面易形成氧化层熔点高、非常稳定,难以侵润相互扩散,这时锡膏形成锡球、易流动,导致发光器件偏移或脱落等。
综上所述,现有技术中的SMT工艺存在面对二类金属时发光器件易偏移或脱落,从而导致现有的SMT对导电材料的适用性不够广的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示装置及其制备方法,用于解决现有技术中的SMT工艺存在面对二类金属时发光器件易偏移或脱落,从而导致现有的SMT对导电材料的适用性不够广的技术问题。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种显示装置,其中,包括:
基板;
导电层,设置于所述基板上;及
反射层,设置于所述导电层上;
其中,在所述反射层及部份的所述导电层开设多个烧瓶状的孔,每一所述烧瓶状的孔的深度大于所述反射层的厚度。
在本发明的一些实施例中,每个所述烧瓶状的孔包括弧形底部及连接所述弧形底部的直筒部,所述弧形底部开设于所述导电层中,所述直筒部贯穿所述反射层。
在本发明的一些实施例中,所述弧形底部投影于所述基板的面积大于所述直筒部投影于所述基板的面积。
在本发明的一些实施例中,所述导电层包括依次层叠的第一导电层及第二导电层,所述第二导电层远离所述基板的一侧表面设置,且夹设于所述反射层与所述第一导电层之间。
在本发明的一些实施例中,还包括接合物及发光器件,所述结合物设置于所述反射层上且填充所述通孔,所述发光器件设置于所述接合物上且通过所述接合物与所述导电层电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的