[发明专利]堆叠电容器

权利要求书

1.一种集成电路即IC，其包括：

基板；

在所述基板上的第一电容器，所述第一电容器具有第一宽度；

在所述第一电容器的与所述基板相对的侧面上的第一介电层；

在所述第一介电层的与所述第一电容器相对的侧面上的第二电容器，所述第二电容器具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；

在所述第二电容器的与所述第一介电层相对的侧面上的第二介电层；以及

在所述第二介电层的与所述第二电容器相对的侧面上的第一金属层。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一金属层电连接到所述第一电容器。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一电容器包括形成在所述基板上的第二金属层，所述第二金属层通过通孔电连接到所述第一金属层。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一电容器包括形成在所述基板上的多晶硅层，所述多晶硅层通过通孔电连接到所述第一金属层。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包含第三金属层，所述第三金属层形成在所述第一介电层的与所述第一电容器相对的所述侧面上，所述第三金属层具有第一腔和第二腔，以及所述第三金属层具有在所述第一腔和所述第二腔之间的第一金属层部分，以及其中所述第一金属层部分包括所述第二电容器的板。

6.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第一金属层部分通过通孔电连接到所述第一电容器。

7.根据权利要求5所述的集成电路，其中：

所述第三金属层包括第二金属层部分和第三金属层部分；

通过所述第一腔与所述第一金属部分分开的所述第二金属层部分；

通过所述第二腔与所述第一金属部分分开的所述第三金属层部分；

所述第一金属层通过第一通孔电连接到所述第二金属层部分，以及所述第一金属层通过第二通孔电连接到所述第三金属层部分；以及

所述第一电容器具有第一金属层，并且所述第二金属层部分通过第三通孔电连接到所述第二金属层，以及所述第三金属层部分通过第四通孔电连接到所述第二金属层。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一电容器限定第一区域；

所述第二电容器限定第二区域；以及

所述第一区域大于所述第二区域。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包含设置在所述第二金属层与第三金属层之间的第四金属层。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，沿着从所述第一金属层到所述第二金属层的轴线，所述第二电容器的占用面积位于所述第一电容器的占用面积内。

11.一种方法，其包括：

在基板上形成第一电容器，所述第一电容器具有第一宽度；

在所述第一电容器的与所述基板相对的侧面上形成第一介电层；

在所述第一介电层的与所述第一电容器相对的侧面上形成第二电容器，所述第二电容器具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；

在所述第二电容器的与所述第一介电层相对的侧面上形成第二介电层；以及

在所述第二介电层的与所述第二电容器相对的侧面上形成第一金属层。

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步形成通孔以将所述第一金属层电连接到所述第一电容器，并且其中形成所述第一电容器包括在所述基板上形成第二金属层，以及所述方法进一步包括形成通孔以将所述第二金属部分电连接到所述第一金属层。