[发明专利]电容器以及蚀刻方法

权利要求书

1.一种电容器，具备：

导电基板，具有第一主面与第二主面，在所述第一主面的一部分的区域设置一个以上的第一凹部，在所述第二主面中的与所述第一主面的所述一部分的区域和所述第一主面的其他一部分的区域对应的区域设有一个以上的第二凹部；

导电层，覆盖所述第一主面、所述第二主面、所述一个以上的第一凹部的侧壁及底面、以及所述一个以上的第二凹部的侧壁及底面；

电介质层，夹设于所述导电基板与所述导电层之间；

第一内部电极，设于所述第一主面的所述一部分的区域上，并与所述导电层电连接；以及

第二内部电极，设于所述第一主面的所述其他一部分的区域上，并与所述导电基板电连接。

2.如权利要求1所述的电容器，

所述一个以上的第二凹部的深度与所述一个以上的第一凹部的深度相比更大。

3.如权利要求1所述的电容器，

所述一个以上的第一凹部为一个以上的第一沟槽，所述一个以上的第二凹部为一个以上的第二沟槽，所述一个以上的第一沟槽的长度方向与所述一个以上的第二沟槽的长度方向相互交叉，所述一个以上的第一沟槽与所述一个以上的第二沟槽在彼此的交叉部彼此相连。

4.如权利要求1所述的电容器，

所述一个以上的第一凹部是分别向第一方向延伸的多个第一沟槽，所述多个第一沟槽形成分别由在所述第一方向上排列的两个以上的第一沟槽构成、且在与所述第一方向交叉的第二方向上排列的多个第一列，所述多个第一列的相邻的各两个中的被在所述第一方向上排列的所述两个以上的第一沟槽夹着的第一部分的位置不同，

所述一个以上的第二凹部是分别向第三方向延伸的多个第二沟槽，所述多个第二沟槽形成分别由在所述第三方向上排列的两个以上的第二沟槽构成、且在与所述第三方向交叉的第四方向上排列的多个第二列，所述多个第二列的相邻的各两个中的被在所述第三方向上排列的所述两个以上的第二沟槽夹着的第二部分的位置不同。

5.一种蚀刻方法，包括如下工序：

在半导体基板的一方的主面形成包含贵金属的第一催化剂层；

在所述半导体基板的另一方的主面形成包含所述贵金属、且每单位面积的所述贵金属的质量与所述第一催化剂层的每单位面积的所述贵金属的质量不同的第二催化剂层；以及

之后，向所述一方的主面及所述另一方的主面供给包含氧化剂与氟化氢的蚀刻剂。

6.如权利要求5所述的蚀刻方法，

所述第一催化剂层形成于所述一方的主面的一部分的区域，所述第二催化剂层形成于所述另一方的主面中的与所述一方的主面的所述一部分的区域和所述一方的主面的其他一部分的区域对应的区域。

7.如权利要求6所述的蚀刻方法，

以所述第二催化剂层与所述第一催化剂层相比具有更大的每单位面积的所述贵金属的质量的方式形成所述第一催化剂层以及第二催化剂层。

8.如权利要求5所述的蚀刻方法，

通过所述蚀刻剂的供给，在所述一方的主面中的所述第一催化剂层的位置形成一个以上的第一凹部，在所述另一方的主面中的所述第二催化剂层的位置形成一个以上的第二凹部。

9.如权利要求8所述的蚀刻方法，

所述一个以上的第一凹部为一个以上的第一沟槽，所述一个以上的第二凹部为一个以上的第二沟槽，所述一个以上的第一沟槽的长度方向与所述一个以上的第二沟槽的长度方向相互交叉，所述一个以上的第一沟槽与所述一个以上的第二沟槽在彼此的交叉部彼此相连。