[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板，包含两个元件区域，并且所述元件区域沿与所述基板的表面平行的第一方向延伸，并在与所述第一方向交叉的第二方向上相互邻接；

布线层，设于所述基板的上方；

绝缘膜，设于所述基板与所述布线层之间；以及

插塞，在所述绝缘膜内，沿所述第二方向、以及与所述第一方向及第二方向交叉的第三方向延伸，设于所述元件区域的各个上，并与所述元件区域及所述布线层电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述基板包含设于所述元件区域间的元件分离区域，所述元件区域在所述第二方向上隔着所述元件分离区域而相互邻接。

3.如权利要求2所述的半导体装置，

所述插塞设于所述元件区域的各个以及所述元件分离区域上。

4.如权利要求2所述的半导体装置，

所述基板包括含有所述两个元件区域在内的三个以上的元件区域和含有所述元件分离区域在内的两个以上的元件分离区域，

所述插塞设于所述三个以上的元件区域的各个上，并与所述三个以上的元件区域及所述布线层电连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

所述插塞设于所述元件区域的上表面以及侧面。

6.如权利要求5所述的半导体装置，

所述插塞与处于比所述元件区域的所述上表面低的位置的所述基板的上表面相接。

7.如权利要求5或6所述的半导体装置，

所述基板包括含有所述两个元件区域在内的三个以上的元件区域，

所述插塞设于所述三个以上的元件区域的各个上，并与所述三个以上的元件区域及所述布线层电连接。

8.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，

所述元件区域分别在所述第二方向上具有第一宽度，

所述插塞在所述第二方向上具有比所述第一宽度大的第二宽度。

9.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，

所述元件区域包含设于所述基板内的扩散层。

10.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，

所述插塞是设于晶体管的源极扩散层或者漏极扩散层上的源极电极或者漏极电极。

11.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，

所述半导体装置还具备：

第一焊盘，设于所述基板的上方，经由所述插塞而与所述元件区域电连接；

第二焊盘，设于所述第一焊盘上；以及

接合焊盘，设于所述第二焊盘的上方，并与所述第二焊盘电连接。

12.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：

在基板内形成两个元件区域，该两个元件区域沿与所述基板的表面平行的第一方向延伸、并在与所述第一方向交叉的第二方向上相互邻接；

在所述基板上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成布线层；

在所述绝缘膜内形成插塞，该插塞沿所述第二方向、以及与所述第一方向及第二方向交叉的第三方向延伸，设于所述元件区域的各个上，并与所述元件区域及所述布线层电连接。