[发明专利]一种基于荧光共振能量转移的复合结构及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202010914758.1 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN111998966A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李娟;李宝军 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 510632 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 荧光 共振 能量 转移 复合 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于荧光共振能量转移的复合结构，其特征在于，包括二氧化硅/硅基底，沉积在所述二氧化硅/硅基底中二氧化硅层上的单层二硫化钼层，涂覆在所述单层二硫化钼层上的壳核量子点；所述壳核量子点的发射波长为400～650nm。
2.根据权利要求1所述的复合结构，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为200～300nm。
3.根据权利要求1所述的复合结构，其特征在于，所述单层二硫化钼层的厚度为0.5～0.8nm。
4.根据权利要求1所述的复合结构，其特征在于，所述壳核量子点包括硒化镉-硫化锌量子点、碲化镉-硫化锌量子点、硫化镉-硫化锌量子点和碲化镉-硫化镉量子点中的一种或几种。
5.根据权利要求1或4所述的复合结构，其特征在于，所述壳核量子点的粒径为4～10nm。
6.根据权利要求1或4所述的复合结构，其特征在于，所述壳核量子点在单层二硫化钼层上的涂覆量为0.1～1.0mg/cm2。
7.权利要求1～6任一项所述的基于荧光共振能量转移的复合结构的制备方法，包括以下步骤：
利用化学气相沉积法在二氧化硅/硅基底上沉积单层二硫化钼层，形成基体；
将壳核量子点分散液涂覆到所述基体的单层二硫化钼层上，静置，得到所述基于荧光共振能量转移的复合结构。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述壳核量子点分散液的浓度为0.1～1.0mg/mL。
9.权利要求1～6任一项所述的基于荧光共振能量转移的复合结构或权利要求7～8任一项所述的制备方法制得的基于荧光共振能量转移的复合结构在温度传感芯片中的应用。
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