[发明专利]一种基于荧光共振能量转移的复合结构及其制备方法与应用

说明书

本发明提供了一种基于荧光共振能量转移的复合结构及其制备方法与应用，属于温度探测仪技术领域。包括二氧化硅/硅基底，沉积在所述二氧化硅/硅基底中二氧化硅层上的单层二硫化钼层，涂覆在所述单层二硫化钼层上的壳核量子点；所述壳核量子点的发射波长为400～650nm。本发明选用发射波长为400～650nm的壳核量子点，该壳核量子点激发光谱范围宽，与二硫化钼吸收谱高度重叠，使两者组成的复合结构能量转移效率高；同时，单层二硫化钼的比表面积大，进一步提高了复合结构的能量转移效率。另外，壳核量子点发光稳定，且不易降解，使复合结构的能量转移效率稳定。由于该复合结构对温度敏感，有望应用于温度传感芯片。

技术领域

本发明涉及温度探测仪技术领域，尤其涉及一种基于荧光共振能量转移的复合结构及其制备方法与应用。

背景技术

温度的可视化实时监测，一直都是科学研究的重点方向。荧光传感是一种具有高灵敏度、快速响应、可视化等优点的测温方法，在生物医药等领域已被广泛应用。然而，传统荧光探针容易受到外界条件波动的影响而产生误差。为此，荧光共振能量转移技术提供了更为准确、灵敏并且简单的检测手段。传统的荧光共振能量转移体系，常利用荧光蛋白和有机染料作为荧光探针，目前已广泛应用于生物分子、免疫分析等生命科学领域中。但由于传统荧光物质的抗光漂白及化学稳定性较差，在应用过程中易发生光降解和化学降解，使得荧光共振能量转移的应用受到限制。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种基于荧光共振能量转移的复合结构及其制备方法与应用。本发明提供的复合结构对温度敏感，且稳定性好、能量转移效率高，有望作为温度传感器应用于温度探测仪中。

为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供了一种基于荧光共振能量转移的复合结构，包括二氧化硅/硅基底，沉积在所述二氧化硅/硅基底中二氧化硅层上的单层二硫化钼层，涂覆在所述单层二硫化钼层上的壳核量子点；所述壳核量子点的发射波长为400～650nm。

优选地，所述二氧化硅层的厚度为200～300nm。

优选地，所述单层二硫化钼层的厚度为0.5～0.8nm。

优选地，所述壳核量子点包括硒化镉-硫化锌量子点、碲化镉-硫化锌量子点、硫化镉-硫化锌量子点和碲化镉-硫化镉量子点中的一种或几种。

优选地，所述壳核量子点的粒径为4～10nm。

优选地，所述壳核量子点在单层二硫化钼层上的涂覆量为0.1～1.0mg/cm²。

本发明还提供了上述技术方案所述的基于荧光共振能量转移的复合结构的制备方法，包括以下步骤：

利用化学气相沉积法在二氧化硅/硅基底上沉积单层二硫化钼层，形成基体；

将壳核量子点分散液涂覆到所述基体的单层二硫化钼层上，静置，得到所述基于荧光共振能量转移的复合结构。

优选地，所述壳核量子点分散液的浓度为0.1～1.0mg/mL。

本发明还提供了上述技术方案所述的基于荧光共振能量转移的复合结构或上述技术方案所述的制备方法制得的基于荧光共振能量转移的复合结构在温度传感芯片中的应用。