[发明专利]电子部件的制造方法有效

专利信息
申请号: 202010914791.4 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN112466653B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 石间雄也;近藤真一;伊藤光祐;服部慎吾 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F41/04 分类号: H01F41/04;H01F27/28
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 部件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子部件的制造方法,其特征在于,包括:

通过层叠多个绝缘体层来形成层叠体基片的步骤,其中,所述层叠体基片具有在与层叠方向交叉的方向上隔着分割部排列的多个层叠体;和

通过去除所述分割部来将所述多个层叠体单片化的步骤,

所述形成层叠体基片的步骤包括:

在基材上形成包含绝缘性材料的绝缘体抗蚀剂层的步骤,所述绝缘性材料为所述绝缘体层的构成材料;和

至少除与所述分割部对应的绝缘体抗蚀剂部分之外,通过曝光来使所述绝缘体抗蚀剂层固化,形成所述绝缘体层的步骤,

在所述形成层叠体基片的步骤中,通过在所述基材上反复进行形成所述绝缘体抗蚀剂层的步骤和形成所述绝缘体层的步骤,来形成所述层叠体基片,

在所述单片化的步骤中,通过显影来去除包含所述绝缘体抗蚀剂部分而构成的所述分割部,

所述形成层叠体基片的步骤还包括:

形成包含导电性材料的导体抗蚀剂层的步骤,所述导电性材料为设置于所述层叠体的导体的构成材料;和

通过曝光和显影,从所述导体抗蚀剂层形成所述导体的步骤,

在形成所述绝缘体抗蚀剂层的步骤中,以掩埋所述导体的方式形成所述绝缘体抗蚀剂层。

2.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法,其特征在于:

在形成所述层叠体基片的步骤中,以所述分割部的宽度为5μm以上20μm以下的方式形成所述层叠体基片。

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