[发明专利]P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法

权利要求书

1.一种P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在背面沉积有隧穿氧化层及多晶硅薄膜的P型硅片的正面金属区域印刷硼浆；然后利用激光将所述硼浆中的硼打入硅中。

2.根据权利要求1所述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，其特征在于，

所述印刷硼浆的固含量为10-30%。

3.根据权利要求1所述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，其特征在于，所述印刷硼浆的步骤，包括：

印刷硼浆，以及将印刷后的所述硼浆在温度为200~400℃进行烘干。

4.根据权利要求1-3任一项所述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，其特征在于，

照射在印刷后的所述硼浆表面的激光的光斑为正方形或者长方形；

可选地，所述光斑的边长在80~150um范围内。

5.根据权利要求1-3任一项所述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，其特征在于，

所述激光的单脉冲能量密度为1.5~3.5J/cm²。

6.根据权利要求1-3任一项所述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，其特征在于，

所述激光的扫描速度为5~30m/s。

7.根据权利要求1所述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，其特征在于，所述背面沉积有隧穿氧化层及多晶硅薄膜的P型硅片的制备步骤包括：

先在P型硅片背面沉积隧穿氧化层，再沉积多晶硅薄膜，然后在所述多晶硅薄膜中掺入磷；

可选地，所述隧穿氧化层的厚度小于2nm，沉积温度为500~700℃；

可选地，所述多晶硅薄膜的厚度为100~200nm；

可选地，所述在所述多晶硅薄膜中掺入磷的步骤，包括：在扩散炉管中进行磷扩散，扩散温度为700~900℃；

可选地，在多晶硅薄膜中掺入磷后，形成的方块电阻范围为40~150ohm/□。

8.根据权利要求7所述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，其特征在于，

所述在所述多晶硅薄膜中掺入磷的步骤之后，还在所述P型硅片的背面沉积氮化硅薄膜；

可选地，所述氮化硅薄膜的厚度为80~120nm。

9.根据权利要求1所述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，其特征在于，

所述利用激光将所述硼浆中的硼打入硅中的步骤之后，还去除所述P型硅片正面剩余的硼浆；

可选地，所述去除P型硅片正面剩余的硼浆的步骤包括：先采用体积浓度为2~8%的KOH溶液清洗硅片正面，然后用体积浓度2~5%的HF溶液清洗硅片正面。

10.一种P型背结接触钝化电池的制备方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1~9任一项所述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法进行正面局域重扩。