[发明专利]P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法

说明书

本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法。在背面沉积有隧穿氧化层及多晶硅薄膜的P型硅片的正面金属区域印刷硼浆；然后利用激光将硼浆中的硼打入硅中。本申请采用硼浆作为硅片正面局域重扩的硼源，然后利用激光将硼浆中的硼打入硅中，能够在P型背结接触钝化电池的正面形成局域重扩区域以形成欧姆接触，从而提高P型背结接触钝化电池的转换效率。而且本申请采用硼浆作为硅片正面局域重扩的硼源，能够极大地降低P型背结接触钝化电池的生产成本，适于产业化。利用激光将硼浆中的硼打入硅中，工艺步骤简单，操作性强。

技术领域

本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法。

背景技术

接触钝化电池（TOPCon）是采用遂穿氧化物钝化晶体硅表面，获得表面钝化，并以高掺杂硅薄膜实现选择性接触。由于接触钝化电池（TOPCon）进行了表面钝化，有效降低了表面复合速率。而且由于接触钝化电池（TOPCon）以高掺杂硅薄膜实现选择性接触，避免了一些背面氧化物钝化高效电池的背面开孔接触工艺。

由于接触钝化电池（TOPCon）优异的性能，自2013年诞生以来，迅速成为光伏行业炙手可热的技术。接触钝化电池（TOPCon）其实验室电池效率快速增长。2017年，德国Fraunhoferise研究机构发布的小面积N型TOPCon电池效率达到了25.8%。相比于PERC电池，TOPCon电池效率高出0.5~1%；且相比于PERC电池，TOPCon电池没有光衰。

然而，目前的接触钝化电池（TOPCon）的研究大多集中在N型TOPCon电池。例如，中国CN 110571304 A公开了一种N型钝化接触双面太阳电池的制作方法，主要包括：背面沉积氮化硅薄膜、去绕度及制绒、边缘隔离、去除BSG、沉积正面钝化层氧化铝层和氮化硅层、丝网印刷和烧结，得到钝化接触双面太阳电池。中国专利CN 110299434 A公开了一种N型双面太阳电池制作方法，主要包括：对N型的硅片进行预清洗，并在背面进行磷扩散形成N+层，去除表面的PSG、硅片边缘和正面的扩散层；在硅片的背面覆盖氮化硅层，去除正面氮化硅层，再在硅片正面制绒；在硅片正面进行硼扩散，制备PN结，然后去除BSG；在硅片正面制备钝化层和减反射层，并印刷和烧结，得到N型双面电池。

但是这些N型TOPCon电池由于其结构特点限制，仍然存在效率损失的问题。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法，能够在P型背结接触钝化电池的正面形成局域重扩区域以形成欧姆接触，提高背结接触钝化电池转换效率，且工艺步骤简单。

第一方面，本申请提供一种P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法，包括以下步骤：

在背面沉积有隧穿氧化层及多晶硅薄膜的P型硅片的正面金属区域印刷硼浆；然后利用激光将硼浆中的硼打入硅中。

第二方面，本申请提供一种P型背结接触钝化电池的制备方法，包括：

采用上述的P型背结接触钝化电池正面局域重扩的方法进行正面局域重扩。

本发明的有益效果包括：本申请采用硼浆作为硅片正面局域重扩的硼源，然后利用激光将硼浆中的硼打入硅中，能够在P型背结接触钝化电池的正面形成局域重扩区域以形成欧姆接触，从而提高P型背结接触钝化电池的转换效率。而且本申请采用硼浆作为硅片正面局域重扩的硼源，利用激光将硼浆中的硼打入硅中，工艺步骤简单，操作性强。相对于现有技术中，N型TOPCon电池需要在正面进行硼扩散形成硼扩发射结，本申请采用P型衬底避免了硼扩散步骤，极大地简化了TOPCon电池生产工艺。而且硼浆成本较低，能够极大地降低P型背结接触钝化电池的生产成本，更加适于产业化。

附图说明