[发明专利]具有集成电感器的功率半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体封装包括：

一个引线框，包括

一个第一芯片焊盘；

一个第二芯片焊盘；

一个第一末端焊盘；以及

一个第二末端焊盘；

一个低端场效应晶体管(FET)翻转并连接到第一芯片焊盘上，低端FET包括一个源极电极以及一个栅极电极，在低端FET的顶面上；

一个连接到第二芯片焊盘上的高端FET，高端FET包括一个源极电极和一个栅极电极，在高端FET的顶面上；

一个第一金属夹，将低端FET的漏极电极以及高端FET的源极电极连接到引线框的第一末端焊盘上；

一个第二金属夹，安装在引线框的第二末端焊盘上；

一个电感器组件，包括：

一个连接到第一金属夹的第一引线；以及

一个连接到第二金属夹的第二引线；以及

一个模塑封装，封装了低端FET、高端FET、第一金属夹、第二金属夹、电感器组件以及引线框的大部分。

2.权利要求1所述的功率半导体封装，其中第一金属夹通过第一导电材料，电子地并机械地连接到低端FET的漏极电极；

其中第一金属夹通过第二导电材料，电子地并机械地连接到高端FET的源极电极；

其中第一金属夹通过第三导电材料，电子地并机械地连接到引线框的第一末端焊盘；并且

其中第二金属夹通过第四导电材料，电子地并机械地连接到引线框的第二末端焊盘。

3.权利要求2所述的功率半导体封装，其中第一金属夹包括一个升高部分；

其中电感器组件的第一引线通过第五导电材料，电子地并机械地连接到第一金属夹的升高部分；

其中第二金属夹包括一个升高部分；并且

其中电感器组件的第二引线通过第六导电材料，电子地并机械地连接到第二金属夹的升高部分。

4.权利要求3所述的功率半导体封装，其中第一导电材料、第二导电材料、第三导电材料以及第四导电材料中的每种导电材料都是由一种焊锡膏材料制成。

5.权利要求4所述的功率半导体封装，其中第五导电材料和第六导电材料中的每种导电材料都是由一种粉末冶金材料制成。

6.权利要求4所述的功率半导体封装，其中第五导电材料和第六导电材料中的每种导电材料都是由一种弹性体材料制成。

7.权利要求4所述的功率半导体封装，其中第五导电材料和第六导电材料中的每种导电材料都是由一种环氧材料制成。

8.权利要求4所述的功率半导体封装，其中引线框的底面暴露于模塑封装。

9.权利要求4所述的功率半导体封装，还包括一个安装在引线框上的集成电路(IC)，其中多个接合引线将IC连接到引线框的多个引线上。