[发明专利]双向静电放电保护装置

权利要求书

1.一种双向静电放电保护装置，其特征在于，包含：

重掺杂半导体基板，具有第一导电型；

第一半导体磊晶层，具有第二导电型，该第一半导体磊晶层设在该重掺杂半导体基板上；

第二半导体磊晶层，具有该第二导电型，该第二半导体磊晶层设在该第一半导体磊晶层，其中该第一半导体磊晶层的掺杂浓度不同于该第二半导体磊晶层的掺杂浓度；

重掺杂区，具有该第一导电型，该重掺杂区设在该第二半导体磊晶层中；以及

轻掺杂区，具有该第一导电型，该轻掺杂区设在该第二半导体磊晶层中，其中该轻掺杂区围绕该重掺杂区，并覆盖该重掺杂区的角落。

2.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，该重掺杂半导体基板与该第一半导体磊晶层之间的接口的崩溃电压对应该第二半导体磊晶层与该重掺杂区之间的接口的崩溃电压。

3.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。

4.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。

5.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，该第一半导体磊晶层的该掺杂浓度大于该第二半导体磊晶层的该掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，该重掺杂半导体基板与该第一半导体磊晶层之间的该接口的该崩溃电压的绝对值等于该第二半导体磊晶层与该重掺杂区之间的该接口的该崩溃电压的绝对值。

7.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，更包含隔离结构，其设在该重掺杂半导体基板、该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层中，该隔离结构围绕该重掺杂区与该轻掺杂区。

8.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，更包含隔离结构，其设在该重掺杂半导体基板、该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层中，该隔离结构围绕该重掺杂区，该轻掺杂区围绕该隔离结构。

9.如权利要求7所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，该隔离结构的深度至少大于该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层的总厚度。

10.如权利要求8所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，该隔离结构的深度至少大于该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层的总厚度。

11.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，更包含重掺杂埋层，其设在该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层之间，该重掺杂埋层具有该第二导电型。

12.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，该轻掺杂区的底部等于或深于该重掺杂区的底部。

13.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，该重掺杂半导体基板耦接一第一导电接脚，该重掺杂区耦接一第二导电接脚，该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层为浮接。