[发明专利]一种半导体器件结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供半导体衬底，并在半导体衬底上形成字线凹槽；

依次沉积栅氧化层、扩散阻挡层；

填充导电材料；

表面平坦化；

采用循环刻蚀工艺回刻所述导电材料和扩散阻挡层，使得所述导电材料的表面低于所述半导体衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述循环刻蚀工艺包括，

前驱体吸附工序；

吸附后吹扫工序；

活化工序；

活化后吹扫工序，

以及，以上工序重复进行一次以上。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：

前驱体吸附工序中，将包含含氟气体的前驱体气体和惰性气体供给到工艺腔室。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：

所述含氟气体包含NF₃或SF₆，所述惰性气体包含N₂、Ar或He。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：

吸附后吹扫工序和/或活化后吹扫工序包括，

供给吹扫气体Ar；

在泵送阀全开的状态下，抽出吹扫气体3-10秒。

6.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：

活化工序中，活化处理气体为惰性气体。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：

所述惰性气体包含Ar、He、Ne、Kr、Xe。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于：

所述导电材料为钨。

9.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于：

在半导体衬底上形成字线凹槽之前，还包括在半导体衬底上形成层间介质层。

10.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于：

还包括，回刻导电材料后，填充绝缘保护材料以完全覆盖所述导电材料。