[发明专利]蚀刻氧化硅膜的方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种蚀刻基板的氧化硅膜的方法，其中，

所述基板具有所述氧化硅膜及设置于该氧化硅膜上的掩模，该方法包括如下工序：

(a)是使用由包含碳氟化合物气体、含碳而不含氟的气体及含氧气体的第1处理气体形成的第1等离子体对所述基板执行第1等离子体处理的工序，在执行该第1等离子体处理期间，将所述基板的温度设定为第1温度，该第1等离子体处理在所述掩模上沉积含碳物质且蚀刻所述氧化硅膜，

(b)是在所述(a)之后，使用由包含碳氟化合物气体的第2处理气体形成的第2等离子体对所述基板执行第2等离子体处理的工序，在执行该第2等离子体处理期间，将所述基板的温度设定为第2温度，该第2等离子体处理蚀刻所述氧化硅膜，

所述第1温度低于所述第2温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

第1处理气体与第2处理气体为相同的处理气体。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

使用等离子体处理装置执行所述(a)及所述(b)，

在所述(a)中为了生成所述第1等离子体而在所述等离子体处理装置中使用的高频电力小于在所述(b)中为了生成所述第2等离子体而在所述等离子体处理装置中使用的高频电力。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，

在所述(a)及所述(b)中，调整支撑所述基板的基板支撑器内的加热器的电能，以使所述第1温度低于所述第2温度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，

在所述第1处理气体中，含碳而不含氟的所述气体为CO气体，所述含氧气体为O₂气体。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，

所述掩模为由有机材料形成的掩模。

7.一种等离子体处理装置，其具备：

腔室；

基板支撑器，设置于所述腔室内；

气体供应部，构成为向所述腔室内供应包含碳氟化合物气体、含碳而不含氟的气体及含氧气体的第1处理气体，以及包含碳氟化合物气体的第2处理气体；

高频电源，构成为为了在所述腔室内由气体生成等离子体而产生高频电力；及

控制部，构成为控制所述气体供应部及所述高频电源，

所述控制部执行：

第1控制，为了蚀刻基板的氧化硅膜且在设置于该氧化硅膜上的该基板的掩模上形成含碳沉积物，以向所述腔室内供应所述第1处理气体的方式控制所述气体供应部，并且以在所述腔室内由所述第1处理气体生成第1等离子体的方式控制所述高频电源；及

第2控制，为了进一步蚀刻所述氧化硅膜，以向所述腔室内供应所述第2处理气体的方式控制所述气体供应部，并且以在所述腔室内由所述第2处理气体生成第2等离子体的方式控制所述高频电源，

将所述第1控制中的所述基板的温度设定为低于所述第2控制中设定的所述基板的温度。