[发明专利]蚀刻氧化硅膜的方法及等离子体处理装置

说明书

在公开的方法中，对在其上方设置有掩模的基板的氧化硅膜进行蚀刻。该方法包括使用由包含碳氟化合物气体、含碳而不含氟的气体及含氧气体的第1处理气体形成的第1等离子体对基板执行第1等离子体处理的工序。该方法还包括使用由包含碳氟化合物气体的第2处理气体形成的第2等离子体对基板执行第2等离子体处理的工序。执行第1等离子体处理期间的基板的温度低于执行第2等离子体处理期间的基板的温度。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种蚀刻氧化硅膜的方法及等离子体处理装置。

背景技术

氧化硅膜的等离子体蚀刻用于将掩模的图案转印到氧化硅膜。日本特开2011-204999号公报(以下称作“专利文献1”)公开有氧化硅膜的等离子体蚀刻。专利文献1中记载的等离子体蚀刻中，使用由碳氟化合物气体形成的等离子体蚀刻氧化硅膜。

发明内容

本发明提供一种抑制因氧化硅膜的蚀刻引起的掩模膜厚的减小的技术。

在一个示例性实施方式中，提供蚀刻基板的氧化硅膜的方法。基板具有氧化硅膜及掩模。掩模设置于氧化硅膜上。方法包括(a)使用由第1处理气体形成的第1等离子体对基板执行第1等离子体处理的工序。第1处理气体包含碳氟化合物气体、含碳而不含氟的气体及含氧气体。在执行第1等离子体处理的期间，将基板的温度设定为第1温度。第1等离子体处理在掩模上沉积含碳物质，且蚀刻氧化硅膜。方法还包括(b)，在上述(a)之后，使用由包含碳氟化合物气体的第2处理气体形成的第2等离子体对基板执行第2等离子体处理的工序。在执行第2等离子体处理的期间，将基板的温度设定为第2温度。第2等离子体处理蚀刻氧化硅膜。第1温度低于第2温度。

根据一个示例性实施方式，能够抑制因氧化硅膜的蚀刻引起的掩模膜厚的减小。

附图说明

图1是一个示例性实施方式所涉及的蚀刻氧化硅膜的方法的流程图。

图2是一例的基板的局部放大剖视图。

图3是一例的基板的局部放大剖视图。

图4是概略表示一个示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图5中，图5(a)是执行图1所示的方法的工序STa之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图，图5(b)是执行图1所示的方法的工序STb之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图。

图6是执行图1所示的方法的工序STc之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图。

图7中，图7(a)是执行图1所示的方法的工序ST1之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图，图7(b)是执行图1所示的方法的工序ST2之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图。

具体实施方式

以下对各种示例性实施方式进行说明。

在一个示例性实施方式中，提供蚀刻基板的氧化硅膜的方法。基板具有氧化硅膜及掩模。掩模设置于氧化硅膜上。方法包括(a)使用由第1处理气体形成的第1等离子体对基板执行第1等离子体处理的工序。第1处理气体包含碳氟化合物气体、含碳而不含氟的气体及含氧气体。在执行第1等离子体处理的期间，将基板的温度设定为第1温度。第1等离子体处理在掩模上沉积含碳物质，且蚀刻氧化硅膜。方法还包括(b)，在上述(a)之后，使用由包含碳氟化合物气体的第2处理气体形成的第2等离子体对基板执行第2等离子体处理的工序。在执行第2等离子体处理的期间，将基板的温度设定为第2温度。第2等离子体处理蚀刻氧化硅膜。第1温度低于第2温度。