[发明专利]用于晶圆载置的真空吸盘系统在审
申请号: | 202010919971.1 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN112071797A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 刘远航;马旭;赵德文;王江涛 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
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地址: | 300350 天津市津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶圆载置 真空 吸盘 系统 | ||
本发明公开了一种用于晶圆载置的真空吸盘系统,包括用于吸附并保持晶圆的吸盘、第一密封腔室、第二密封腔室、第一电磁阀、第二电磁阀和第三电磁阀;吸盘通过管路依次连接第一密封腔室、第一电磁阀、第二密封腔室和第二电磁阀,第一密封腔室连接负压源从而为吸盘提供持续的吸附力并将从吸盘吸引的气体与液体、固体颗粒分离,第二密封腔室分别连接负压源和正压源以在第二密封腔室连通负压源并且第一电磁阀导通时从第一密封腔室吸引液体和/或固体颗粒以及在第二密封腔室连通正压源并且第二电磁阀导通时将其中的液体和/或固体颗粒排出;第二密封腔室的气路端口和负压源之间连接第三电磁阀。
技术领域
本发明涉及晶圆超精密制造技术领域,尤其涉及一种用于晶圆载置的真空吸盘系统。
背景技术
目前半导体行业采用在半导体晶圆的表面上形成有电子电路来制造半导体芯片。因此晶圆制造是制约超/极大规模集成电路(即芯片,IC,Integrated Circuit)产业发展的关键环节。晶圆在被分割为半导体芯片之前,通过加工装置来减薄形成有电子电路的器件面的相反侧的背面,从而将晶圆减薄至预定的厚度。
在晶圆生产制造的过程中,陶瓷吸盘负责支撑、吸附并固定晶圆,因此为陶瓷吸盘提供真空吸附力的真空源的压力稳定性对于减薄过程的稳定性较为重要,一旦真空源的压力下降极有可能发生滑片甚至碎片。然而,由于陶瓷吸盘表面为多孔结构,在减薄和清洗过程中,会有液体和固体的磨削颗粒通过该多孔结构进入真空管路中,导致真空管路的真空度下降,使得吸盘对晶圆的吸附能力下降,并且还会对真空管路中的零部件造成损耗,影响晶圆的产品质量和生产安全。
发明内容
本发明实施例提供了一种用于晶圆载置的真空吸盘系统,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
本发明实施例提供了一种用于晶圆载置的真空吸盘系统,包括用于吸附并保持晶圆的吸盘、第一密封腔室、第二密封腔室、第一电磁阀、第二电磁阀和第三电磁阀;
所述吸盘通过管路依次连接第一密封腔室、第一电磁阀、第二密封腔室和第二电磁阀,第一密封腔室连接负压源从而为吸盘提供持续的吸附力并将从吸盘吸引的气体与液体、固体颗粒分离,第二密封腔室分别连接负压源和正压源以在第二密封腔室连通负压源并且第一电磁阀导通时从第一密封腔室吸引液体和/或固体颗粒以及在第二密封腔室连通正压源并且第二电磁阀导通时将其中的液体和/或固体颗粒排出;
其中,在液体和/或固体颗粒由第一密封腔室转移至第二密封腔室以及从第二密封腔室排出的排液过程中不影响吸盘的真空状态;
所述吸盘与第一密封腔室之间连接的管路上设有单向阀以实现由吸盘至第一密封腔室单向导通;
所述第二密封腔室的气路端口和负压源之间连接第三电磁阀,在第一电磁阀导通之前控制第三电磁阀导通以使第二密封腔室内的负压力大于等于第一密封腔室内的负压力从而利于使液体和/或固体颗粒由第一密封腔室转移至第二密封腔室。
在一个实施例中,还包括控制器,控制器分别与第一电磁阀和第二电磁阀连接;所述控制器控制第一电磁阀的通断以使第一密封腔室和第二密封腔室之间不发生气体交换。
在一个实施例中,所述第一密封腔室还连接有高液位传感器和低液位传感器,高液位传感器和低液位传感器分别连接控制器;
所述控制器通过高液位传感器检测到第一密封腔室内的液位升至高液位时控制第一电磁阀导通以使液体和/或固体颗粒由第一密封腔室转移至第二密封腔室;
所述控制器通过低液位传感器检测到第一密封腔室内的液位降至低液位时控制第一电磁阀断开;
其中,所述高液位低于所述第一密封腔室的内顶面且高于所述低液位,所述低液位高于所述第一密封腔室的内底面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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