[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

于所述分离层上形成介质层；

于所述介质层上形成Ti金属种子层；

于所述Ti金属种子层上形成Cu金属种子层；

于所述Cu金属种子层上形成光阻层，并图形化所述光阻层；

形成与所述Cu金属种子层相接触的金属层；

去除所述光阻层，以显露所述Cu金属种子层；

去除所述Cu金属种子层，以显露所述Ti金属种子层；

采用第一湿法刻蚀，去除所述Ti金属种子层，以显露所述介质层；

对所述介质层进行第一预处理，在所述介质层中形成第一凹槽，以显露位于所述介质层中的残留Ti金属种子层；

采用第二湿法刻蚀，去除所述残留Ti金属种子层；

对所述介质层进行第二预处理，形成深度大于所述残留Ti金属种子层的深度的第二凹槽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一预处理包括采用O₂、CF₄、Ar中的一种对所述介质层所进行的等离子体处理；所述第二预处理包括采用O₂、CF₄、Ar中的一种对所述介质层所进行的等离子体处理。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一凹槽的深度范围包括0.2μm～0.4μm；所述第二凹槽的深度范围包括0.3μm～1.2μm。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一湿法刻蚀去除显露的所述Ti金属种子层的温度范围包括30℃～50℃，处理时间包括120s～150s；所述第二湿法刻蚀去除所述残留Ti金属种子层的温度范围包括30℃～50℃，处理时间包括40s～80s。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述介质层的材质包括PI、环氧树脂、硅胶、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃及含氟玻璃中的一种。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：形成所述Ti金属种子层的方法包括溅射法及化学镀中的一种；形成所述Cu金属种子层的方法包括溅射法、化学镀及电镀中的一种；形成所述金属层的方法包括溅射法、化学镀及电镀中的一种。

7.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

支撑基底；

分离层，所述分离层位于所述支撑基底上；

介质层，所述介质层位于所述分离层上，且所述介质层中具有相连通的第一凹槽以及第二凹槽；

Ti金属种子层，所述Ti金属种子层位于所述介质层上，其中，与所述Ti金属种子层相接触的所述介质层中具有残留Ti金属种子层，所述第二凹槽的深度大于所述残留Ti金属种子层的深度；

Cu金属种子层，所述Cu金属种子层位于所述Ti金属种子层上

金属层，所述金属层位于所述Cu金属种子层上。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于：所述第一凹槽的深度范围包括0.2μm～0.4μm；所述第二凹槽的深度范围包括0.3μm～1.2μm。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于：所述第一凹槽的深度等于所述残留Ti金属种子层的深度或所述第一凹槽的深度小于所述残留Ti金属种子层的深度。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于：所述介质层包括PI层、环氧树脂层、硅胶层、PBO层、BCB层、氧化硅层、磷硅玻璃层及含氟玻璃层中的一种。