[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其制备方法，在第一湿法刻蚀去除显露的Ti金属种子层后，通过对介质层进行第一预处理，以在介质层中形成第一凹槽，以显露位于介质层中的残留Ti金属种子层，并通过第二湿法刻蚀，去除残留Ti金属种子层，以及对介质层进行第二预处理，以形成深度大于残留Ti金属种子层的深度的第二凹槽，从而可有效去除位于介质层中的残留Ti金属种子层，使得第二凹槽的底部与残留Ti金属种子层之间具有深度差，避免由残留Ti金属种子层所造成的短路，提高器件可靠性。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型集成电路的出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高的密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。

晶圆级封装(WLP)以晶圆为加工对象，对整个晶圆进行封装和测试，然后将晶圆切割成单个芯片。WLP由于具有小型化、低成本、高集成度以及具有更好的性能和更高的能源效率等优点，因此，已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。

RDL可对芯片的焊盘的焊区位置进行重新布局，使新焊区满足对焊料球最小深度差的要求，并使新焊区按照阵列排布。对于高I/O芯片封装结构而言，需要多层RDL金属线，在有限的外形形状及封装尺寸下，RDL金属线的线宽及线深度差越小意味着可以得到越多的供电轨道。然而，RDL的制造需要较多的过程及复杂的流程，在形成Ti金属种子层时，少量的Ti会进入介质层中层，在后续的湿法刻蚀去除Ti金属种子层时，不能将残留在介质层中的Ti金属种子层清除干净，从而残留的Ti金属种子层具有造成短路的风险，会降低器件的可靠性。

因此，提供一种半导体结构及其制备方法，实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体结构及其制备方法，用于解决现有技术中不能将残留在介质层中的Ti金属种子层清除干净，使得残留的Ti金属种子层造成短路，降低了可靠性的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：

提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

于所述分离层上形成介质层；

于所述介质层上形成Ti金属种子层；

于所述Ti金属种子层上形成Cu金属种子层；

于所述Cu金属种子层上形成光阻层，并图形化所述光阻层；

形成与所述Cu金属种子层相接触的金属层；

去除所述光阻层，以显露所述Cu金属种子层；

去除所述Cu金属种子层，以显露所述Ti金属种子层；

采用第一湿法刻蚀，去除所述Ti金属种子层，以显露所述介质层；

对所述介质层进行第一预处理，在所述介质层中形成第一凹槽，以显露位于所述介质层中的残留Ti金属种子层；

采用第二湿法刻蚀，去除所述残留Ti金属种子层；

对所述介质层进行第二预处理，形成深度大于所述残留Ti金属种子层的深度的第二凹槽。

可选地，所述第一预处理包括采用O₂、CF₄、Ar中的一种对所述介质层所进行的等离子体处理；所述第二预处理包括采用O₂、CF₄、Ar中的一种对所述介质层所进行的等离子体处理。