[发明专利]一种封装体成型方法在审
申请号: | 202010921534.3 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN111987002A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 吴涛;岳茜峰;吕磊 | 申请(专利权)人: | 长电科技(滁州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/49 |
代理公司: | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人: | 侯晔 |
地址: | 239000 安徽省滁州市经济技*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 成型 方法 | ||
1.一种封装体成型方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)对基材进行蚀刻得到若干个封装单元,每个封装单元包括基岛和引脚,且封装单元之间通过连接筋连接;
(2)对基岛、引脚和连接筋的上表面进行电镀得到第一镀层;
(3)将芯片安装至基岛上;
(4)对安装有芯片的封装单元进行塑封;
(5)对基岛和引脚的下表面进行电镀得到第二镀层;
(6)切割连接筋,使得连接筋两侧的引脚的侧面露出,且连接筋未切断;
(7)对未切断的连接筋进行蚀刻,使得第一镀层露出且使得露出的引脚侧面呈凹弧状;
(8)对露出的引脚侧面进行镀锡;
(9)对塑封后的封装单元进行切割得到单个引脚侧面镀锡封装件。
2.根据权利要求1所述的一种封装体成型方法,其特征在于,步骤(6)中利用刀片对连接筋进行切割,该刀片的厚度大于或者等于封装单元之间的距离。
3.根据权利要求1所述的一种封装体成型方法,其特征在于,步骤(8)之前还包括:去除引脚下表面的第二镀层。
4.根据权利要求1所述的一种封装体成型方法,其特征在于,步骤(3)中对安装有芯片的封装单元进行塑封的具体过程为:利用塑封料对安装有芯片的封装单元进行塑封,使得塑封料包裹芯片、引脚和基岛;其中,引脚和基岛的下表面未被塑封料包裹。
5.根据权利要求1所述的一种封装体成型方法,其特征在于,步骤(3)中采用倒装或者正装的方式安装芯片。
6.根据权利要求1~5任一项所述的一种封装体成型方法,其特征在于,所述第一镀层和第二镀层的材料为金属。
7.根据权利要求6任一项所述的一种封装体成型方法,其特征在于,所述第一镀层的材料为银。
8.根据权利要求6所述的一种封装体成型方法,其特征在于,所述第二镀层的材料为锡。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长电科技(滁州)有限公司,未经长电科技(滁州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010921534.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造