[发明专利]半导体结构及其制作方法、控制方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底基板；

绝缘体，位于所述衬底基板的一侧；

多条位线，设置于所述绝缘体内，多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；

多个主动体，位于所述绝缘体内，所述主动体位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，所述主动体在所述衬底基板的正投影与所述位线在所述衬底基板的正投影至少部分重合，且沿所述第二方向上间隔分布；

多条字线，位于所述绝缘体内，且位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，所述字线沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸，且在第二方向上的两相邻所述主动体之间仅设置一条所述字线。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘体包括：

第一绝缘体，位于所述字线和所述主动体之间；

第二绝缘体，位于所述字线背离所述衬底基板的一侧；

第三绝缘体，位于所述字线和所述位线之间；

所述第二绝缘体的硬度大于所述第一绝缘体、第三绝缘体的硬度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘体的材料为氧化硅，所述第二绝缘体的材料为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向垂直。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线和所述衬底基板通过部分所述绝缘体绝缘设置。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，所述主动体包括：

第一源/漏部，位于所述位线背离所述衬底基板的一侧；

有源部，位于所述第一源/漏部背离所述衬底基板的一侧；

第二源/漏部，位于所述有源部背离所述衬底基板的一侧。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源/漏部和所述第二源/漏部的材料为掺杂多晶硅导体，所述有源部的材料为多晶硅。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第一导体部，位于所述位线与所述第一源/漏部之间；

第二导体部，位于所述第二源/漏部背离所述衬底基板的一侧。

9.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：

形成一待刻蚀体，所述待刻蚀体包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧绝缘体，以及多条位线，所述位线位于所述绝缘体内且多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；

在所述绝缘体背离所述位线的一侧形成沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸的多条第二凹槽；

在所述第二凹槽内依次形成字线和第四绝缘层，所述第四绝缘层位于所述字线背离所述第二凹槽槽底的一侧；

在所述绝缘体背离所述衬底基板的一侧形成多个阵列分布的通孔，所述通孔在所述衬底基板的正投影与所述位线在所述衬底基板的正投影至少部分重合，所述通孔延伸至所述位线的表面，且在所述第二方向上，两相邻所述通孔在所述衬底基板的正投影之间仅有一条字线在所述衬底基板的正投影；

在所述字线裸露于所述通孔的一侧形成第五绝缘层；

在所述通孔内形成第一源/漏部、有源部、第二源/漏部，所述第一源/漏部位于所述位线的一侧，所述有源部位于所述第一源/漏部背离所述位线的一侧，所述第二源/漏部位于所述有源部背离所述位线的一侧。