[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；

在所述栅极结构和层间介质层上形成掩膜层，所述掩膜层开设有第一开口，所述第一开口与所述源漏掺杂层对应且沿所述栅极结构的延伸方向延伸且连续；

形成牺牲层，所述牺牲层填充部分所述第一开口；

刻蚀未被所述牺牲层填充部分的所述第一开口对应的所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的第一沟槽。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层还覆盖部分所述掩膜层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成牺牲层的步骤包括：

在所述掩膜层上形成牺牲材料层，所述牺牲材料层覆盖所述掩膜层且填充所述第一开口，所述牺牲材料层的顶部为平面；

图形化所述牺牲材料层，形成牺牲层，所述牺牲层填充部分所述第一开口。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括介电层，所述掩膜层形成于所述介电层上；

刻蚀所述层间介质层的同时，还刻蚀未被所述牺牲层填充部分的所述第一开口对应的所述介电层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述介电层和所述层间介质层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成露出所述源漏掺杂层的第一沟槽之后，还包括：

去除所述牺牲层和所述掩膜层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述牺牲层和所述掩膜层。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层和所述掩膜层的步骤为：

形成插塞保护层，所述插塞保护层至少填充所述第一开口和所述第一沟槽；

刻蚀所述插塞保护层，所述牺牲层以及所述掩膜层。

9.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电层的材料为氧化硅、氮化硅或者碳化硅中的一种或者至少两种的组合。

10.如权利要求1-9任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅和氮化硼碳硅中的一种或多种。

11.如权利要求1-9任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化钛、氮化钽、氧化钛、氧化钽、钨碳复合材料中的一种或至少两种的组合。

12.如权利要求3-9任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述牺牲材料层。

13.一种半导体结构，其特征在在于，包括：

基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；

掩膜层，覆盖所述栅极结构和层间介质层，所述掩膜层开设有第一开口，所述第一开口与所述源漏掺杂层对应且沿所述栅极结构的延伸方向延伸且连续；

牺牲层，所述牺牲层局部填充所述第一开口；

贯穿所述层间介质层的第一沟槽，所述第一沟槽露出所述源漏掺杂层。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层还覆盖部分所述掩膜层。