[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；在所述栅极结构和层间介质层上形成掩膜层，所述掩膜层开设有第一开口，所述第一开口与所述源漏掺杂层对应且沿所述栅极结构的延伸方向延伸且连续；形成牺牲层，所述牺牲层填充部分所述第一开口；刻蚀未被所述牺牲层填充部分的所述第一开口对应的所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的第一沟槽。所述方法提高了器件的电学性能且简化了工艺，降低了成本。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小。特别是特征尺寸向微米、纳米方向快速发展，其图案线宽也将越来越细，这对半导体工艺提出了更高的要求。

在集成电路的后续工艺中，通常以光刻技术(Lithograph)实现集成电路图案的转移。然而，集成电路的图案线宽越细，对光刻技术的工艺要求越高。在现有的光刻技术无法满足相应的工艺要求时，容易产生一系列的问题，造成现有的半导体工艺形成的器件性能不佳。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提升器件的电学性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；

在所述栅极结构和层间介质层上形成掩膜层，所述掩膜层开设有第一开口，所述第一开口与所述源漏掺杂层对应且沿所述栅极结构的延伸方向延伸且连续；

形成牺牲层，所述牺牲层填充部分所述第一开口；

刻蚀未被所述牺牲层填充部分的所述第一开口对应的所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的第一沟槽。

相应的，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：

基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；

掩膜层，覆盖所述栅极结构和层间介质层，所述掩膜层开设有第一开口，所述第一开口与所述源漏掺杂层对应且沿所述栅极结构的延伸方向延伸且连续；

牺牲层，所述牺牲层局部填充所述第一开口；

贯穿所述层间介质层的第一沟槽，所述第一沟槽露出所述源漏掺杂层。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：