[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010922723.2 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN114141641A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 黄晨;蔡孟峯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 纪婷婧 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，包括多个芯片区域以及用于分隔所述芯片区域的切割道；
其中，所述切割道内形成有测试结构，所述测试结构包括：
有源区，形成于半导体衬底内；和
连接结构，位于所述有源区的端部，通过所述连接结构将位于同一列上的多个所述有源区依次首尾连接；
所述测试结构用于位线接触电阻测试。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接结构包括：
第一连接插塞，位于所述有源区的首部；
第二连接插塞，位于所述有源区的尾部；和
金属层，位于所述第一连接插塞和所述第二连接插塞上方，将所述第一连接插塞与所述第二连接插塞连接。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述连接结构还包括金属阻挡层，所述金属阻挡层位于所述第一连接插塞与所述金属层之间以及所述第二连接插塞和所述金属层之间。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于同一列上的多个所述有源区和多个所述连接结构共同构成“Z”字型测试结构。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，在沿所述有源区延伸的方向上每相邻两个所述有源区连接。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述测试结构为所述切割道内的多个测试结构之一。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片区域为半导体存储芯片。
8.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成多个芯片区域和切割道；其中，所述切割道内具有多个与所述芯片区域同步形成的有源区；
形成多个连接结构，其中所述连接结构位于所述有源区的端部，通过所述连接结构将位于同一列上的多个所述有源区依次首尾连接。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述连接结构的步骤包括：
在所述有源区上方形成绝缘层；
形成贯穿所述绝缘层的第一连接插塞和第二连接插塞，其中所述第一连接插塞位于所述有源区的首部，所述第二连接插塞位于所述有源区的尾部；
形成金属层，所述金属层覆盖所述第一连接插塞和所述第二连接插塞，所述第一连接插塞与所述第二连接插塞通过所述金属层连接。
10.如权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，位于同一列上的多个所述有源区和多个所述连接结构共同构成“Z”字型测试结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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