[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中定义有多个有源区；

多个位线接触部，位于所述衬底中并和所述多个有源区电性连接，并且所述位线接触部的侧壁还具有第一侧壁氧化层，所述第一侧壁氧化层和所述位线接触部直接接触；

多条位元线，位于所述衬底上并沿着预定方向延伸，并且所述位元线还覆盖排布在其延伸路径上的多个位线接触部，以及所述位元线的至少部分侧壁还具有侧壁氮化层，所述位元线包括底层多晶硅层，所述底层多晶硅层位于所述位线接触部上，并且所述底层多晶硅层的侧壁具有与之直接接触的侧壁氮化硅层。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位元线包括金属材料层，以及所述金属材料层的侧壁具有侧壁金属氮化物层。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述侧壁金属氮化物层的厚度大于所述第一侧壁氧化层的厚度。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位元线包括由下至上依次堆叠设置的薄膜金属氮化物层和金属材料层，以及所述金属材料层的侧壁上具有侧壁金属氮化物层，所述侧壁金属氮化物层的底部连接所述薄膜金属氮化物层的侧壁。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线接触部的材料包括多晶硅，以及所述位线接触部的侧壁具有侧壁氧化硅层，所述侧壁氧化硅层的厚度大于所述侧壁氮化硅层的厚度。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括绝缘遮盖层，所述绝缘遮盖层连续覆盖所述位元线和所述位线接触部，并且所述第一侧壁氧化层的介电常数低于所述绝缘遮盖层的介电常数。

7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底中有多个位线接触窗，所述位线接触窗至少底部暴露出所述有源区，以及所述多个位线接触部一一对应在所述多个位线接触窗中，并且所述第一侧壁氧化层的底部至少部分接触所述有源区。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述位线接触窗在有源区的宽度方向上超出所述有源区，以横向延伸至邻接的隔离区中，以及所述第一侧壁氧化层从所述有源区横向扩展至所述隔离区中，以使所述第一侧壁氧化层的底部还接触位于隔离区中的沟槽内壁。

9.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述位线接触部的宽度尺寸小于所述位线接触窗的开口尺寸，并在所述第一侧壁氧化层至沟槽侧壁之间还含有第二侧壁氧化层。

10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述第二侧壁氧化层的最高界面高于第一侧壁氧化层的最高界面。

11.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底中定义有多个有源区，以及形成多个位线接触窗在所述衬底中，所述位线接触至少底部暴露出所述有源区；

填充位线接触材料层在所述位线接触窗中；

形成位元线在所述衬底上，所述位元线沿着预定方向延伸并覆盖排布在其延伸路径上的多个位线接触材料层，并且所述位元线的宽度尺寸小于所述位线接触材料层的宽度尺寸，以使所述位线接触材料层部分暴露出，以及所述位元线包含金属材料层和位于所述金属材料层上的介电材料遮蔽层；

执行氮化处理，以在所述位元线的至少部分侧壁上形成侧壁氮化层，包括：使所述金属材料层的侧壁氮化以形成侧壁金属氮化物层；

以所述位元线为掩模刻蚀所述位线接触材料层，以形成位线接触部在所述位线接触窗中。

12.如权利要求11所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述位线接触部之后，还包括：

执行氧化处理，以在所述位线接触部的侧壁上形成第一侧壁氧化层。