[发明专利]一种用于清洗硅片的装置

说明书

本发明实施例公开了一种用于清洗硅片的装置，属于硅片加工领域。该装置可以包括：槽体，所述槽体限定出用于容纳清洗液的清洗液容纳空间，并且所述槽体具有用于将所述硅片放入到所述清洗液容纳空间中或将所述硅片从所述清洗液容纳空间取出的水平的槽体开口，其中，所述清洗液含有用于清洗所述硅片的易挥发性化学清洗剂；以及罩盖，所述罩盖构造成密闭所述槽体开口以避免因所述槽体周围的EFU气体流通造成的所述清洗液上方较强的空气流动，从而抑制所述易挥发性化学清洗剂的挥发。通过该装置能够抑制清洗液中的化学清洗剂的浓度的降低，提高清洗液浓度的稳定性进而提高了对硅片的清洗效果，并且能够减少化学品的消耗。

技术领域

本发明涉及硅片加工领域，尤其涉及一种用于清洗硅片的装置。

背景技术

槽式清洗是硅片的主要清洗方式，通过槽中的含有化学清洗剂的清洗液和硅片表面发生系列化学反应从而减少硅片表面的金属和颗粒含量。

图1中示出了现有的用于清洗硅片W的装置10A的示意图。如图1所示，该装置10A可以包括清洗槽110A，待清洗的硅片W放置在清洗槽110A中并通过清洗槽110A中的清洗液被清洗。可以理解的是，随着清洗过程的进行，清洗槽110A中的清洗液的洁净度会降低，不再能够达到所期望的对硅片的清洗效果，因此清洗槽110A中的清洗液需要进行循环过滤。具体地，洁净的清洗液可以借助循环泵(图1中未示出)被不断注入到清洗槽110A中，而使得清洗槽110A中的清洗液溢流至设置在清洗槽110A外围的溢流槽120A中，溢流槽120A中的清洗液会被过滤器(图1中未示出)过滤，经过滤后的洁净的清洗液借助循环泵被重新泵送至清洗槽110A中以对硅片W进行清洗，由此实现清洗槽110A中的清洗液的循环过滤。为了确保清洗环境的洁净，该装置10A还可以包括用于容纳清洗槽110A和溢流槽120A的外壳300A，并且还要向外壳300A中通入来自EFU(Equipment fan filter unit设备风扇过滤器单元)的洁净的EFU气体，其中，图1中通过浅色箭头示出了EFU气体的流动路径，如图1所示EFU气体从外壳300A上方的外壳开口O3A输入并从设置在外壳300A的底部处的排气口310A排出。此外，该装置10A通常还可以包括设置在外壳300A的外壳开口O3A上的罩盖200A，如图1所示，罩盖200A的中央部分为硅片W的进出通道，罩盖200A的外周部分呈网格状以便于EFU气体的流通，该装置10A也可以不包括任何罩盖。如在图1中示出的，通常清洗槽110A和溢流槽120A的高度一致，但均低于外壳300A或罩盖200A的高度。

目前用于清洗硅片W的清洗液主要包括SC-1和SC-2，其中，SC-1为氨水与双氧水的混合溶液，主要用于清洗有机物和颗粒，SC-2为盐酸与双氧水的混合溶液，主要用于清洗金属离子。上述两种清洗液都是易挥发的，氨水易挥发出作为化学清洗剂的氨气，盐酸易挥发出作为化学清洗剂的氯化氢气体，从而造成清洗液中化学清洗剂的浓度的下降。图1中通过深色箭头示出了挥发的化学清洗剂的流动路径，如图1所示，化学清洗剂经由清洗槽开口O1A和溢流槽开口O2A挥发并随EFU气体一起经由设置在外壳300A的底部处的排气口310A排出。

为了提高清洗液的清洗性能，除了合适的浓度外，还需要清洗液有较高的温度，比如SC-1和SC-2清洗液的清洗温度通常控制在40-60℃，相对于室温，较高的温度会有更好的清洗效果，然而也加剧了易挥发性化学清洗剂比如SC-1清洗液中的氨气以及SC-2清洗液中的氯化氢气体的挥发，从而加剧了清洗液中化学清洗剂的浓度的下降。

另外，EFU气体的流通也会使得清洗液上方的空气流动较强，由此加速了易挥发性化学清洗剂的挥发，从而加速了清洗液中化学清洗剂的浓度的下降。

而对于硅片清洗而言，清洗液中化学清洗剂的浓度稳定在设定规格范围内是清洗品质的重要保证，当化学清洗剂挥发较快时，清洗液浓度稳定性较差从而影响清洗效果，另外为了确保清洗效果的稳定性，需要通过不断补充新鲜液体来维持清洗液中含有的化学清洗剂的浓度的动态稳定，导致了化学品的消耗较大。

发明内容