[发明专利]静态随机存取存储器控制电路、方法、存储器和处理器

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器控制电路，其特征在于，包括：静态随机存取存储器单元、第一位线、第二位线以及预充电单元；

所述预充电单元包括：第一预充电单元和第二预充电单元；

所述第一预充电单元与所述第一位线连接；

所述第二预充电单元与所述第二位线连接；

所述第一预充电单元包括第一外围预充子单元和第一阵列预充子单元，所述第一外围预充子单元和所述第一阵列预充子单元分别与所述第一位线连接，所述第一外围预充子单元用于通过外围逻辑电源给所述第一位线充电，所述第一阵列预充子单元用于通过存储阵列电源给所述第一位线充电；

所述第二预充电单元包括第二外围预充子单元和第二阵列预充子单元，所述第二外围预充子单元和所述第二阵列预充子单元分别与所述第二位线连接，所述第二外围预充子单元用于通过所述外围逻辑电源给所述第二位线充电，所述第二阵列预充子单元用于通过所述存储阵列电源给所述第二位线充电。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器控制电路，其特征在于，所述第一外围预充子单元包括：第十五晶体管和第十七晶体管；

所述第十五晶体管的源极与所述外围逻辑电源的电压连接；

所述第十五晶体管的漏极与所述第十七晶体管的漏极连接；

所述第十七晶体管的源极与所述第一位线连接。

3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器控制电路，其特征在于，所述第二外围预充子单元包括：第十六晶体管和第十八晶体管；

所述第十六晶体管的源极与所述外围逻辑电源的电压连接；

所述第十六晶体管的漏极与所述第十八晶体管的漏极连接；

所述第十八晶体管的源极与所述第二位线连接。

4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器控制电路，其特征在于，所述预充电单元还包括：连接在所述第一位线和所述第二位线间的平衡管。

5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器控制电路，其特征在于，还包括：位线读传输单元以及位线写传输单元；

所述位线读传输单元用于从所述静态随机存取存储器单元中读取数据；

所述位线写传输单元用于向所述静态随机存取存储器单元中写入数据。

6.一种静态随机存取存储器控制方法，其特征在于，应用于权利要求1-5任意一项所述的静态随机存取存储器控制电路，所述静态随机存取存储器控制方法包括：

进行第一阶段充电，所述第一阶段充电包括通过所述第一外围预充子单元接入外围逻辑电源为所述第一位线充电，和通过第二外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第二位线充电；

在所述第一阶段充电结束之后，通过第一阵列预充子单元接入存储阵列电源为所述第一位线充电，和通过第二阵列预充子单元接入存储阵列电源为所述第二位线充电。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通过所述第一外围预充子单元接入外围逻辑电源为所述第一位线充电，和通过第二外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第二位线充电，包括：

通过所述第一外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第一位线充电至指定电压，和通过第二外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第二位线充电至所述指定电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述通过所述第一外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第一位线充电至指定电压，和通过第二外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第二位线充电至所述指定电压，包括：

当外围逻辑电源电压大于或等于由存储阵列电源电压确定的电压阈值时，通过所述第一外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第一位线充电至所述电压阈值，和通过第二外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第二位线充电至所述电压阈值；

当所述外围逻辑电源电压小于由所述存储阵列电源电压确定的电压阈值时，通过所述第一外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第一位线充电至所述外围逻辑电源电压，和通过第二外围预充子单元接入所述外围逻辑电源为所述第二位线充电至所述外围逻辑电源电压。