[发明专利]静态随机存取存储器控制电路、方法、存储器和处理器

说明书

本申请提供了一种静态随机存取存储器控制电路、方法、存储器和处理器，其中，该静态随机存取存储器控制电路包括：静态随机存取存储器单元，第一位线、第二位线以及预充电单元；预充电单元包括：第一预充电单元和第二预充电单元；第一预充电单元通过第一位线与静态随机存取存储器单元连接；第二预充电单元通过第二位线与静态随机存取存储器单元连接；第一预充电单元包括第一外围预充子单元和第一阵列预充子单元，第一外围预充子单元和第一阵列预充子单元分别与第一位线连接；第二预充电单元包括第二外围预充子单元和第二阵列预充子单元，第二外围预充子单元和第二阵列预充子单元分别与第二位线连接。

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种静态随机存取存储器控制电路、方法、存储器和处理器。

背景技术

由于低层金属线阻大，高层金属线阻低，因此在设计芯片时，金属线的布线对芯片的影响较大。但是随着芯片的要求越来越高，芯片的厚度也越来越薄，导致高层金属布线资源有限，一些布置在封装层的电源信号需要改变布线位置，以将封装层的布线位置预留给一些其它关键信号。但是相对于封装层走线，低层金属电阻更大，电源信号使用低层金属线时可能会导致由于电迁移和电压降带来的电路失效。

发明内容

本申请的目的在于提供一种静态随机存取存储器控制电路、方法、存储器和处理器，能够缓解由于电迁移和电压降带来的电路失效的问题。

第一方面，本发明实施例提供一种静态随机存取存储器控制电路，包括：静态随机存取存储器单元、第一位线、第二位线以及预充电单元；

所述预充电单元包括：第一预充电单元和第二预充电单元；

所述第一预充电单元与所述第一位线连接；

所述第二预充电单元与所述第二位线连接；

所述第一预充电单元包括第一外围预充子单元和第一阵列预充子单元，所述第一外围预充子单元和所述第一阵列预充子单元分别与所述第一位线连接，所述第一外围预充子单元用于通过外围逻辑电源给所述第一位线充电，所述第一阵列预充子单元用于通过存储阵列电源给所述第一位线充电；

所述第二预充电单元包括第二外围预充子单元和第二阵列预充子单元，所述第二外围预充子单元和所述第二阵列预充子单元分别与所述第二位线连接，所述第二外围预充子单元用于通过所述外围逻辑电源给所述第二位线充电，所述第二阵列预充子单元用于通过所述存储阵列电源给所述第二位线充电。

在可选的实施方式中，所述第一外围预充子单元包括：第十五晶体管和第十七晶体管；

所述第十五晶体管的源极与所述外围逻辑电源的电压连接；

所述第十五晶体管的漏极与所述第十七晶体管的漏极连接；

所述第十七晶体管的源极与所述第一位线连接。

在本申请实施例中，通过上述的第十五晶体管和第十七晶体管的作用，实现使用外围逻辑电源给位线预充电，从而可以实现减少存储阵列电源电流压力的效果。

在可选的实施方式中，所述第二外围预充子单元包括：第十六晶体管和第十八晶体管；

所述第十六晶体管的源极与所述外围逻辑电源的电压连接；

所述第十六晶体管的漏极与所述第十八晶体管的漏极连接；

所述第十八晶体管的源极与所述第二位线连接。

在本申请实施例中，通过上述的第十六晶体管和第十八晶体管的作用，实现使用外围逻辑电源给位线预充电，从而可以实现减少存储阵列电源电流压力的效果。

在可选的实施方式中，所述预充电单元还包括：连接在所述第一位线和所述第二位线间的平衡管。