[发明专利]一种阵列基板及其制备方法以及显示面板在审
申请号: | 202010932535.8 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN111900176A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 刘俊领 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 以及 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,划分为显示区及弯折区,所述弯折区位于所述显示区一侧,所述阵列基板包括玻璃基板和柔性衬底,所述玻璃基板对应所述显示区,所述柔性衬底对应所述弯折区,且所述柔性衬底从所述弯折区延伸到覆盖所述显示区的所述玻璃基板的一侧边的上表面;其中所述显示区还包括:
缓冲层,设置于所述玻璃基板上,且与所述柔性衬底接触;
薄膜晶体管,设置于所述缓冲层及所述柔性衬底上方;
多条信号线,与所述薄膜晶体管的栅极同层设置;以及
像素电极,设置于所述薄膜晶体管上,且与所述薄膜晶体管连接;
所述弯折区还包括多条绑定走线,所述多条绑定走线设置于所述柔性衬底上,且所述多条绑定走线分别与所述显示区内的所述多条信号线连接;
其中,所述弯折区的所述柔性衬底适于沿着所述玻璃基板的所述一侧边弯折到所述玻璃基板远离所述薄膜晶体管的一面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述柔性衬底的材料包括聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述柔性衬底的厚度为3微米至100微米。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的结构包括背沟道蚀刻型、刻蚀阻挡型及顶栅结构型。
5.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至4任一项所述的阵列基板及设置于所述阵列基板下的覆晶薄膜,所述覆晶薄膜与所述多条绑定走线绑定。
6.一种阵列基板制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S10、提供一玻璃基板,所述玻璃基板划分为显示区和弯折区,在所述玻璃基板的一侧制备缓冲层,在所述玻璃基板的另一侧制备柔性衬底,其中所述缓冲层和部分所述柔性衬底对应所述显示区设置,另一部分所述柔性衬底对应所述弯折区设置;
步骤S20、在所述显示区的所述缓冲层及所述柔性衬底上制备薄膜晶体管和像素电极,在制备所述薄膜晶体管的同时在所述显示区制备多条信号线,在所述弯折区的所述柔性衬底上制备多条绑定走线,所述多条信号线分别与所述多条绑定走线连接;以及
步骤S30、去除对应所述弯折区的所述玻璃基板,把裸露出的所述柔性衬底弯折到所述玻璃基板远离所述薄膜晶体管的一面并固定。
7.根据权利要求6所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述柔性衬底的材料包括聚酰亚胺。
8.根据权利要求6所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述柔性衬底的厚度为3微米至100微米。
9.根据权利要求6所述的阵列基板制备方法,其特征在于,在步骤S30中,去除对应所述弯折区的所述玻璃基板的方法包括基板减薄技术、切割、激光烧灼中的至少一种。
10.根据权利要求6所述的阵列基板制备方法,其特征在于,在步骤S30中,固定裸露出的所述柔性衬底的固定材料包括双面胶或胶水中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的