[发明专利]一种阵列基板及其制备方法以及显示面板在审
申请号: | 202010932535.8 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN111900176A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 刘俊领 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 以及 显示 面板 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法以及显示面板。阵列基板划分为显示区及弯折区,所述弯折区位于所述显示区一侧,所述阵列基板包括玻璃基板和柔性衬底,所述玻璃基板对应所述显示区设置,所述柔性衬底对应所述弯折区设置,且所述柔性衬底从所述弯折区延伸到覆盖所述显示区的所述玻璃基板的一侧边的上表面。所述显示区制备有薄膜晶体管及多条信号线。所述弯折区制备有多条绑定走线,所述多条绑定走线分别与所述显示区内的所述多条信号线连接。所述弯折区内的所述柔性衬底适于沿着所述玻璃基板的一侧边弯折到所述玻璃基板远离所述薄膜晶体管的一面进行COF绑定,以实现无边框设计。缓解了现有阵列基板绑定工艺中使用纳米银胶导致良率较低的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法以及显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,无边框显示器成为现在显示市场中高端产品的主流。无边框显示器的两大优点,一是外形美观,更有时尚感。其二采用无边框技术的显示器可以很好的实现显示器拼接,实现两联屏、三联屏甚至多联屏。此外,无边框显示器能给用户带来更宽广的视觉体验,消除了原先厚边框显示器的束缚感。
现有无边框或窄边框的实现方式有两种,其中一种为侧面绑定方式:即采用将原本外围绑定(bonding)走线的线路缩短或缩到面内,并在阵列基板侧面印刷纳米银(Ag)胶与线路连接,然后把覆晶薄膜(Chip On Film,COF)绑定在阵列基板的侧面,从而实现窄边框或无边框效果。另外一种为背面绑定方式,将原本外围绑定走线的线路缩短或缩到面内,并采用背面工艺技术在背面进行对应的外围线路设计。然后同样采用侧面印刷纳米银胶与线路对应连接,使正面的绑定走线与背面的外围线路对应连接起来,最后在背面进行COF绑定,从而实现窄边框或无边框的效果。然而以上这两种绑定方式均需在阵列基板侧面印刷纳米银胶,而且受限印刷精度,制程工艺中经常会有银离子因扩散渗透或纳米银胶对位异常导致基板内线路发生短路。进而导致产品良率较低,成本高居不下,导致无边框技术无法广泛采用及普及。
因此,现有阵列基板绑定工艺中使用纳米银胶导致良率较低的问题需要解决。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制备方法以及显示面板,以缓解现有阵列基板绑定工艺中使用纳米银胶导致良率较低的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种阵列基板,阵列基板划分为显示区及弯折区,所述弯折区位于所述显示区一侧,所述阵列基板包括玻璃基板和柔性衬底,所述玻璃基板对应所述显示区,所述柔性衬底对应所述弯折区,且所述柔性衬底从所述弯折区延伸到覆盖所述显示区的所述玻璃基板的一侧边的上表面。其中所述显示区还包括:缓冲层、薄膜晶体管、多条信号线及像素电极。所述缓冲层设置于所述玻璃基板上,且与所述柔性衬底接触。所述薄膜晶体管设置于所述缓冲层及所述柔性衬底上方。所述多条信号线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置。所述像素电极,设置于所述薄膜晶体管上,且与所述薄膜晶体管连接。所述弯折区还包括多条绑定走线,所述多条绑定走线设置于所述柔性衬底上,且所述多条绑定走线分别与所述显示区内的所述多条信号线连接。其中,所述弯折区内的所述柔性衬底适于沿着所述玻璃基板的所述一侧边弯折到所述玻璃基板远离所述薄膜晶体管的一面。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述柔性衬底的材料包括聚酰亚胺。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述柔性衬底的厚度为3微米至100微米。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述薄膜晶体管的结构包括背沟道蚀刻型、刻蚀阻挡型及顶栅结构型。
本发明实施例提供一种显示面板,其包括前述实施例其中之一的阵列基板及设置于所述阵列基板下的覆晶薄膜,所述覆晶薄膜与所述多条绑定走线绑定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的