[发明专利]半导体器件及其制作方法

说明书

提供一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括位于衬底之上的波导。所述半导体器件包括位于衬底之上的第一介电结构，其中波导的一部分位于第一介电结构中。所述半导体器件包括位于波导下方的第二介电结构，其中第二介电结构的第一侧壁邻近衬底的第一侧壁。

技术领域

本发明的实施例是涉及一种半导体器件及其制作方法，且是涉及一种包括波导的半导体器件及其制作方法。

背景技术

半导体器件用于例如移动电话、膝上型计算机(laptop)、台式计算机 (desktop)、平板电脑(tablet)、手表、游戏系统及各种其他工业、商业及消费性电子组件(consumerelectronics)等众种电子器件。半导体器件一般包括半导体部分及形成在半导体部分内的配线部分。

发明内容

在一些实施例中，提供一种半导体器件。所述半导体器件包括位于衬底之上的波导。半导体器件包括位于衬底之上的第一介电结构，其中波导的一部分位于第一介电结构中。所述半导体器件包括位于波导下方的第二介电结构，其中第二介电结构的第一侧壁邻近衬底的第一侧壁。

在一些实施例中，提供一种形成半导体器件的方法。所述方法包括在衬底之上形成第一介电结构，其中波导的一部分位于第一介电结构中。所述方法包括在波导下方形成第二介电结构。衬底的第一部分邻近第二介电结构的第一侧。衬底的第二部分邻近第二介电结构的第二侧。所述方法包括移除衬底的第一部分以在第一介电结构与衬底之间产生空隙，其中第二介电结构抑制对衬底的第二部分的移除。

在一些实施例中，提供一种形成半导体器件的方法。所述方法包括在衬底中形成第一沟槽。所述方法包括在第一沟槽中形成第一介电结构。衬底的第一部分邻近第一介电结构的第一侧。衬底的第二部分邻近第一介电结构的第二侧。所述方法包括在衬底的第一部分及衬底的第二部分之上形成第二介电结构，其中波导的一部分位于第二介电结构中。所述方法包括移除衬底的第一部分，以在第二介电结构与衬底之间产生空隙，其中第一介电结构抑制对衬底的第二部分的移除。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的方面。注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A至图1C示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图2A至图2C示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图3A至图3C示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图4A至图4D示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图5A至图5E示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图6A至图6C示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图7A至图7F示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图8A至图8F示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图9A至图9D示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图10A至图10E示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图11A至图11C示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图12A至图12C示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图13A至图13C示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图14A至图14C示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。