[发明专利]成膜系统、磁化特性测量装置和成膜方法在审
申请号: | 202010933375.9 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN112530835A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 千早宏昭;E·N·阿瓦拉;石桥翔太 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/203;H01L43/12;H01L43/08 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 磁化 特性 测量 装置 方法 | ||
1.一种形成磁性膜的成膜系统,其特征在于,包括:
在基片上形成磁性膜的处理单元;
磁化特性测量装置,其测量在所述处理单元中形成的磁性膜的磁化特性;以及
在所述处理单元与所述磁化特性测量装置之间输送所述基片的输送部,
所述磁化特性测量装置包括:
磁场施加机构,其具有对基片施加磁场并能够调节施加到所述基片的磁场的永磁体磁路;和
检测所述基片的磁化特性的检测器。
2.如权利要求1所述的成膜系统,其特征在于:
具有处理单元组,形成包含磁性膜的层叠膜,其中所述处理单元组包括形成所述磁性膜的处理单元以及形成其他膜或与成膜相关的其他处理单元。
3.如权利要求1或2所述的成膜系统,其特征在于:
所述磁化特性测量装置还包括对所述基片的磁场施加部分照射光的光学系统,
所述检测器通过照射到所述基片的光的反射光的由磁光效应引起的偏振面的旋转,来检测磁化特性。
4.如权利要求1至3中任一项所述的成膜系统,其特征在于:
所述永磁体磁路包括:
永磁体;
磁轭,其由将来自永磁体的磁通引导到所述基片的磁性体构成;和
调节施加到所述基片的磁场的调节机构。
5.如权利要求4所述的成膜系统,其特征在于:
所述永磁体是海尔贝克阵列磁体,
所述调节机构具有分路磁轭和使所述分路磁轭移动的移动机构。
6.如权利要求4所述的成膜系统,其特征在于:
所述永磁体是偶极磁体,
所述调节机构是使所述偶极磁体旋转以调节磁极的角度的旋转机构。
7.如权利要求4所述的成膜系统,其特征在于:
所述永磁体磁路包括:由永磁体构成的第一磁场产生部;和磁场强度比第一磁场产生部小的第二磁场产生部,
用所述第一磁场产生部对所述基片施加背景磁场,所述调节机构至少调节从所述第二磁场产生部施加到所述基片的磁场。
8.如权利要求7所述的成膜系统,其特征在于:
所述第一磁场产生部是磁场强度相对较大的第一偶极磁体,
所述第二磁场产生部是磁场强度相对较小的第二偶极磁体,
所述调节机构包括:
使所述第一偶极磁体旋转以调节磁极的角度的第一旋转机构;和
使所述第二偶极磁体旋转以调节磁极的角度的第二旋转机构。
9.如权利要求8所述的成膜系统,其特征在于:
所述第一偶极磁体在所述第二偶极磁体的周围与所述第二偶极磁体同心状地配置。
10.如权利要求7所述的成膜系统,其特征在于:
所述第二磁场产生部具有卷绕于所述磁轭的线圈,通过对所述线圈通电而作为电磁体发挥作用。
11.一种磁化特性测量装置,其在成膜系统内测量在处理单元中形成的磁性膜的磁化特性,
磁化特性测量装置的特征在于,包括:
磁场施加机构,其具有对基片施加磁场并能够调节施加到所述基片的磁场的永磁体磁路;和
检测所述基片的磁化特性的检测器。
12.如权利要求11所述的磁化特性测量装置,其特征在于:
还包括对所述基片的磁场施加部分照射光的光学系统,
所述检测器通过照射到所述基片的光的反射光的由磁光效应引起的偏振面的旋转,来检测磁化特性。
13.如权利要求11或12所述的磁化特性测量装置,其特征在于:
所述永磁体磁路包括:
永磁体;
磁轭,其由将来自永磁体的磁通引导到所述基片的磁性体构成;和
调节施加到所述基片的磁场的调节机构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造