[发明专利]成膜系统、磁化特性测量装置和成膜方法

说明书

本发明提供成膜系统及其中使用的磁化特性测量装置和成膜方法。成膜系统包括：在基片上形成磁性膜的处理单元；磁化特性测量装置，其测量在处理单元中形成的磁性膜的磁化特性；以及在处理单元与磁化特性测量装置之间输送基片的输送部。磁化特性测量装置包括：磁场施加机构，其具有对基片施加磁场并能够调节施加到上述基片的磁场的永磁体磁路；和检测上述基片的磁化特性的检测器。本发明能够测量所形成磁性膜的磁化特性。

技术领域

本发明涉及成膜系统、磁化特性测量装置和成膜方法。

背景技术

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻式随机存取存储器)中使用的磁隧道结(MTJ：Magnetic Tunnel Junction)元件构成为层叠膜，其具有2个磁性膜和由设置于它们之间的绝缘膜构成隧道势垒膜(tunnel barrier film)。关于MTJ元件，在使2个铁磁性层95的磁化的方向一致时电阻小(参照图58)，在使若上述方向不同则电阻变大的2个磁性膜的磁化的方向一致时电阻小，方向不同时电阻变大。MTJ元件通过在基片上通过溅射依次形成上述膜而制成。作为形成MTJ元件那样的层叠有磁性膜的结构的处理系统，已知有将成膜等的多个处理单元连接到真空输送室来依次实施所需要的处理的装置。(例如专利文献1)。

对于MTJ元件那样的使磁性层膜的磁化的方向变化的元件，磁性膜的磁化特性较为重要，要求掌握是否具有所希望的磁化特性。作为测量这样的磁性膜的磁化特性的技术，专利文献2中公开了是使用电磁体的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第6160614号公报

专利文献2：日本特开平3-163376号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够进行所形成的磁性膜的磁化特性的测量的成膜系统及其中使用的磁化特性测量装置和成膜方法。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的成膜系统是在基片上形成磁性膜的成膜系统，其包括：形成磁性膜的处理单元；磁化特性测量装置，其测量在上述处理单元中形成的磁性膜的磁化特性；以及在上述处理单元与上述磁化特性测量装置之间输送基片的输送部，上述磁化特性测量装置包括：磁场施加机构，其具有对上述基片施加磁场并能够调节施加到上述基片的磁场的永磁体磁路；和检测上述基片的磁化特性的检测器。

发明效果

依照本发明，提供能够进行所形成的磁性膜的磁化特性的测量的成膜系统及其中使用磁化特性测量装置和成膜方法。

附图说明

图1是概要地表示一实施方式的成膜系统的平面图。

图2是表示作为由图1的成膜系统形成的层叠膜的一个例子的MTJ元件的结构的截面图。

图3是表示磁化特性测量装置的第一例的概要结构的截面图。

图4是表示图2所示的MTJ元件的磁化曲线(磁滞曲线)的一个例子的图。

图5是表示磁化特性测量装置的第二例中的磁场施加机构的概要结构的截面图。

图6是表示第二例的变形例中使用的磁场施加机构的概要结构的截面图。

图7是表示图6的磁场施加机构中使用的海尔贝克阵列磁体的立体图。

图8是表示通过模拟求出的、使用图6的磁场施加机构的磁化特性测量装置的偶极磁体的角度与磁场(磁通密度)的关系的结果的图。

图9是表示磁化特性测量装置的第三例的概要结构的截面图。