[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202010933402.2 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN112086489A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 姚佳序;陈娥 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括功能区和围绕所述功能区的主显示区,所述功能区包括发光区和位于所述发光区相对两侧的透光区,所述显示面板包括:
衬底基板;
设置于所述衬底基板上的像素定义层,所述像素定义层包括多个像素开口和围绕所述像素开口的挡墙,其中位于所述功能区的所述挡墙包括填充层以及用于光线导向的增透阵列层,所述增透阵列层包括阵列分布于所述透光区的多个增透阵列单元,所述增透阵列单元为弧形;以及
发光功能层,位于所述像素开口内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述增透阵列层设置于所述衬底基板靠近所述像素定义层的一侧,所述填充层覆盖于所述增透阵列层上,所述增透阵列单元包括向远离所述衬底基板的一侧凸出的弧形。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述填充层的折射率小于所述增透阵列层的折射率。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述填充层的折射率为1.3~1.4,所述增透阵列层的折射率为1.6~1.7。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述填充层设置于所述衬底基板靠近所述像素定义层的一侧,所述填充层上设置有多个凹槽,所述增透阵列层填充于所述凹槽内以对应形成所述增透阵列单元,所述增透阵列单元包括向靠近所述衬底基板的一侧凸出的弧形。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述填充层的折射率大于所述增透阵列层的折射率。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述填充层的折射率为1.6~1.7,所述增透阵列层的折射率为1.3~1.4。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述透光区和所述发光区呈阵列分布,其中位于相邻行或相邻列的所述透光区和所述发光区之间呈交错互补排列。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每一所述透光区包括多个所述增透阵列单元,所述增透阵列单元呈M*N组合排布,M为行数,N为列数,且M和/或N大于或等于2。
10.一种显示装置,包括权利要求1~9任一项所述的显示面板,以及和所述透光区对应设置的感光元件,所述感光元件位于所述衬底基板远离所述像素定义层的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的